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中文名稱. 原子層化學氣相沉積系統, 英文名稱. Atomic Layer Chemical Vapor ... ,交通大學機構典藏致力於蒐集、組織、保存、取用與傳播本校的學術研究產出和各 ... Title: 單晶之CVD薄膜和融化成長法製程中的不穩定熱流與使其穩定之研究---子計 ... ,中文名稱, 電漿輔助化學氣相沉積系統, 英文名稱. Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD). 儀器廠牌型號. Samco. 購置年限. 1998年7月. 放置地點. , 中文名稱, 低壓化學氣相沉積系統. 英文名稱. Low Pressure Chemical Vapor Deposition System (LPCVD). 儀器廠牌型號. SJ-10301001-1.,1. 低壓化學氣相沉積系統 (Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD). 2. 電漿輔助化學氣相沉積系統 (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, ... ,交通大學材料科學工程研究所. 關鍵字: 鑽石;類鑽石;薄膜;ECR電漿CVD;氣相合成法;Diamond;Diamond-like;Thin film;ECR plasma CVD;Vapor deposition. 公開日期 ... ,本研究為使用商用軟體FLUENT模擬化學氣相沉積(CVD)技術在CVD反應器上生長固態薄膜的情形。模擬之目的在於利用商用軟體建立一個可以調整各項製程參數之 ... ,本篇論文在研究垂直單晶化學氣相沈積反應壚內流場及熱傳的三維暫態數值模擬。我們使用CFX4.2這套套裝軟體來解這些問題的方程式。我們集中注意在由於溫度不 ... ,本研究是以數值方法探討在大尺寸的垂直式化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition 簡稱CVD)反應器內的流場。描述流場傳輸現象的統禦方程式被建構在非正交 ... ,本論文以自行組建之多腔體式低壓銅化學氣相沈積(Cu CVD)系統,使用Cu(hfac)TMVS + 2.4 wt% TMVS當作先驅物(precursor),分別探討基板的電漿前處理對銅膜 ...
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