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CMP製程. 化學機械研磨製程. Speaker:周科吟. CMP. Page 43. CMP製程-機構組成. 研磨墊. 研磨液. 研磨機. 研磨墊. 研磨液. 研磨機. 高分子聚合物材料. 粉末. 溶液. 化學藥品. 研磨頭. 研磨機身. Pressure. 抗凝聚劑. Wafer. Slurry Dispenser. 研磨液 .... 電鍍沉積相關理論介紹(equations related electroplating). ○影響電鍍的相關 ... ,CMP. 在製造微晶片的各類節點上，生產的晶圓表面必須完全平坦或是平坦化。這樣做是為了去除多餘的材料，或是為了建立平坦基底，以便新增下一層的電路線寬。為了達成此目的，晶片製造商使用名為化學機械平坦化或簡稱CMP 的製程。CMP 是將化學劑和沙(或多或少) 的混合物倒在轉盤的專用砂紙上，然後進行研磨。 CMP 製程曾 ... ,... 是未來積體電路(IC)發展的趨勢，為了要滿足這些條件就必須使用多層導線技術，而多層導線中每一層都必須非常平坦才能再堆疊另一層，因此必須使用「化 ... ,嚴格來說. Etch 主要是拿來吃掉不要的東西. CMP 主要是用於平坦化工程均常用於半導體製程(上一道Mask 後面就會接Etch or CMP...) Etch 可能是乾蝕刻(Plasma)或濕蝕刻(化學品Solution) → 這樣就會有材料選擇性和蝕刻率問題. CMP 主要是研磨液+拋光墊... 也屬溼答答髒兮兮的一段製程→ 這個則是通通磨掉比較會有研磨率問題 ,對圖形尺寸小於0.35 µm而言，全面性平坦化是必須. 的，而這只能藉化學機械研磨才能達成。 ▫ 顯影製程之解析度R = K1λ/NA. ▫ DOF = K2λ/2(NA)2. ▫ 我們假設K1=K2, λ=248 nm (DUV)，以及. NA=0.6, 當解析度為0.25 µm時DOF 大約為. 2,083 Å ; 當其為0.18 µm, DOF為1,500 Å 。 ▫ 0.25 mm 圖形其粗糙度須< ~2000 Å. ▫ 只有CMP ... , 圖一：半導體芯片乃依摩爾定律，每18個月電晶的數目加倍，IC總路的線寬乃急速變窄，使製程的困難度大幅提高（資料來源：工業材料雜誌253期）. IC的線路乃以微影顯像及光阻蝕刻的方法製造。但是線路的厚度卻必須藉由拋光的方式控制，這就是所謂的化學機械平坦化(CMP)。CMP在製造32 nm或更細的線路時必須 ...,8. 結果與討論. CMP水量特性. ▫CMP排放水量：. 國內半導體廠CMP廢水排放量約在50 ~ 500 噸. /日左右不等，其隨著工廠規模或產能變化而有. 所差異。 ▫CMP用水比率：. 國內半導體廠CMP用水量約占製程總用水量. 的5~25%，可見得CMP製程相當耗水，故應妥. 善處理並設法予以回收，方能達到節約用水之效. 益。 Q uantity ... ,,CMP 是在. 研磨機的研磨墊(PU Pad)上注入研磨漿料(Slurry)進行研磨晶圓的動作，目的是將積體電路晶圓(IC Wafer)上的介電層(oxide layer)與金. 屬層(metal layer)磨平，使其全面平坦化進而達到立體佈線或者多層佈線，提升配線密度(pattern density)，同時降低缺陷密度(defect density)，提升製程良率。利用奈米技術的CMP 是目前最 ...

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cmp製程介紹相關參考資料

蝕刻製程

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CMP - Applied Materials

CMP. 在製造微晶片的各類節點上，生產的晶圓表面必須完全平坦或是平坦化。這樣做是為了去除多餘的材料，或是為了建立平坦基底，以便新增下一層的電路線寬。為了達成此目的，晶片製造商使用名為化學機械平坦化或簡稱CMP 的製程。CMP 是將化學劑和沙(或多或少) 的混合物倒在轉盤的專用砂紙上，然後進行研磨。 CMP 製程曾 ...

http://www.appliedmaterials.co

化學機械研磨(CMP) - Ansforce

... 是未來積體電路(IC)發展的趨勢，為了要滿足這些條件就必須使用多層導線技術，而多層導線中每一層都必須非常平坦才能再堆疊另一層，因此必須使用「化 ...

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半導體製程的Etch and CMP | Yahoo奇摩知識+

嚴格來說. Etch 主要是拿來吃掉不要的東西. CMP 主要是用於平坦化工程均常用於半導體製程(上一道Mask 後面就會接Etch or CMP...) Etch 可能是乾蝕刻(Plasma)或濕蝕刻(化學品Solution) → 這樣就會有材料選擇性和蝕刻率問題. CMP 主要是研磨液+拋光墊... 也屬溼答答髒兮兮的一段製程→ 這個則是通通磨掉比較會有研磨率問題

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Chemical Mechanical Polishing

對圖形尺寸小於0.35 µm而言，全面性平坦化是必須. 的，而這只能藉化學機械研磨才能達成。 ▫ 顯影製程之解析度R = K1λ/NA. ▫ DOF = K2λ/2(NA)2. ▫ 我們假設K1=K2, λ=248 nm (DUV)，以及. NA=0.6, 當解析度為0.25 µm時DOF 大約為. 2,083 Å ; 當其為0.18 µm, DOF為1,500 Å 。 ▫ 0.25 mm 圖形其...

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台灣在半導體化學機械平坦化(CMP)技術的發展優勢：材料世界網

圖一：半導體芯片乃依摩爾定律，每18個月電晶的數目加倍，IC總路的線寬乃急速變窄，使製程的困難度大幅提高（資料來源：工業材料雜誌253期）. IC的線路乃以微影顯像及光阻蝕刻的方法製造。但是線路的厚度卻必須藉由拋光的方式控制，這就是所謂的化學機械平坦化(CMP)。CMP在製造32 nm或更細的線路時必須 ...

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