built in potential中文
熱平衡時之pn 接面: ◇ pn 接面之空間電荷區(Space Charge Region)或空乏區(Depletion Region)，產. 生一個電位差，稱為內建電位障(Built-In Potential Barrier). ,,以built-in potential 進行詞彙精確檢索結果. 出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電子工程 ... built-in potential, 內建電勢；內建電位. 學術名詞 物理學名詞 , 正向偏壓(Forward Bias) 國立臺灣大學物理學系簡裕峰. 於半導體中，將外加電場施於特殊的兩極上，以達到控制電路的效果，這稱為偏壓(bias)。,吸引，通過空乏區，形成少數載子流！ 空乏區內的離子所產生阻止電子與電洞通過接合面的力量，稱為「障壁電. 位（Potential barrier）」，一般而言，Ge 的P-N 接合面的 ... ,的電位較高，n 型區的電位較低，其間的電位差我們稱為內建電位(build-in potential) ... (potential barrier)；同樣地，電子大多分佈在電子電位能最低的n 型中性區中，要. ,該電位差稱為內在電位（built-in potential） V b i -displaystyle V_-rm bi}}} V_-rm bi}}}} 。 PN接面的n區的電子向p區擴散，留下了正電荷在n區。類似地，p型電洞 ... ,因為n型側電位高於p型側而形成內建電位障壁(Built-in potential barrier)，可以阻止任何流往另一邊的多數載子。在攝氏25度時，鍺(Ge)二極體的位能障壁約為0.3V， ... ,一塊半導體晶體一側摻雜成P型半導體，另一側摻雜成N型半導體，中間二者相連的接觸面稱為PN .... 该电势差称为内在电势（built-in potential） V b i -displaystyle V_-rm bi}}} V_-rm bi}}}} 。 PN结的n区的电子向p区扩散，留下了正电荷在n区。
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 built in potential中文 相關參考資料
1.2 pn 接面(pn Junction)
熱平衡時之pn 接面: ◇ pn 接面之空間電荷區(Space Charge Region)或空乏區(Depletion Region)，產. 生一個電位差，稱為內建電位障(Built-In Potential Barrier). https://ocw.stust.edu.tw built-in potential - 內建電位 - 國家教育研究院雙語詞彙
http://terms.naer.edu.tw built-in potential - 內建電勢；內建電位 - 國家教育研究院雙語詞彙
以built-in potential 進行詞彙精確檢索結果. 出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電子工程 ... built-in potential, 內建電勢；內建電位. 學術名詞 物理學名詞 http://terms.naer.edu.tw built-in potential | 科學Online
正向偏壓(Forward Bias) 國立臺灣大學物理學系簡裕峰. 於半導體中，將外加電場施於特殊的兩極上，以達到控制電路的效果，這稱為偏壓(bias)。 http://highscope.ch.ntu.edu.tw P-N 接面二極體P-N Junction Diode
吸引，通過空乏區，形成少數載子流！ 空乏區內的離子所產生阻止電子與電洞通過接合面的力量，稱為「障壁電. 位（Potential barrier）」，一般而言，Ge 的P-N 接合面的 ... http://www.taiwan921.lib.ntu.e pn 二極體簡介
的電位較高，n 型區的電位較低，其間的電位差我們稱為內建電位(build-in potential) ... (potential barrier)；同樣地，電子大多分佈在電子電位能最低的n 型中性區中，要. http://ezphysics.nchu.edu.tw PN接面- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
該電位差稱為內在電位（built-in potential） V b i -displaystyle V_-rm bi}}} V_-rm bi}}}} 。 PN接面的n區的電子向p區擴散，留下了正電荷在n區。類似地，p型電洞 ... https://zh.wikipedia.org pn接面二極體的動作原理
因為n型側電位高於p型側而形成內建電位障壁(Built-in potential barrier)，可以阻止任何流往另一邊的多數載子。在攝氏25度時，鍺(Ge)二極體的位能障壁約為0.3V， ... http://pub.tust.edu.tw PN结- 维基百科，自由的百科全书
一塊半導體晶體一側摻雜成P型半導體，另一側摻雜成N型半導體，中間二者相連的接觸面稱為PN .... 该电势差称为内在电势（built-in potential） V b i -displaystyle V_-rm bi}}} V_-rm bi}}}} 。 PN结的n区的电子向p区扩散，留下了正电荷在n区。 https://zh.wikipedia.org |