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Applied Centris AdvantEdge Mesa 是應用材料公司最先進的矽蝕刻系統，可針對成功製造22 奈米以下的先進邏輯和記憶體晶片，提供所需的精密度、智慧能力以及高 ... ,CENTRIS™ SYM3™ 蝕刻. 隨著半導體持續進行微縮，對晶片製造的精密度和均勻度要求也越來越嚴格，因而推動了過去十年來矽蝕刻反應室的首次全面重新設計。 ,在新的200mm 技術上，應用材料公司Centura 蝕刻反應器解決了以下難題：MEMS 深寬比>100:1 的矽蝕刻、SJ MOSFET 一體化硬遮罩開槽帶以及針對LED 和功率 ... ,應用材料Centura AdvantEdge Mesa 矽蝕刻系統將埃等級精密度帶至淺溝隔離層、埋入式位元線/埋入式字元線和32 奈米以下雙重圖案化。應用材料創新突破的電感 ... ,這對介電蝕刻造成極大的挑戰，尤其是高深寬比(HAR) 的線寬尺寸。此外，新興的三維NAND 架構與替換介電層的堆疊有關，這會加強蝕刻系統的需求。若要達到 ... ,應用材料公司的Centura Tetra Z 光罩蝕刻系統提供最先進的性能，可滿足10nm 及以下製程的邏輯和記憶體等元件的光學微影光罩蝕刻所需。這套全新系統提升了 ... , 應用材料公司推出Applied Centura® Tetra™ Z 光罩蝕刻系統，為業界所需的新一代光微影術光罩蝕刻技術，繼續精進多重曝影尺寸縮放至10奈米 ..., 應用材料公司今日推出新一代蝕刻機台─Applied Centris™ Sym3™ 蝕刻系統，配備全新的蝕刻反應室，可進行原子等級的精密製造。為克服在晶片 ..., 應用材料公司推出Applied Producer® Selectra™ 系統，革新蝕刻技術。這項系統是業界首度使用極限選擇性蝕刻機台，導入新材料工程的能力，可 ...,「乾式」(電漿) 蝕刻是用於電路清晰度步驟，而「濕式」蝕刻(使用化學浴) 主要用於清潔晶圓。 乾式蝕刻是半導體製造中最常用的製程之一。 開始蝕刻前，晶圓上會塗上 ...
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Centris™ AdvantEdge™ Mesa™ 蝕刻系統| Applied Materials
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CENTRIS™ SYM3™ 蝕刻. 隨著半導體持續進行微縮，對晶片製造的精密度和均勻度要求也越來越嚴格，因而推動了過去十年來矽蝕刻反應室的首次全面重新設計。 http://www.appliedmaterials.co Centura ® Etch 200mm 在新的200mm 技術上 - Applied Materials
在新的200mm 技術上，應用材料公司Centura 蝕刻反應器解決了以下難題：MEMS 深寬比>100:1 的矽蝕刻、SJ MOSFET 一體化硬遮罩開槽帶以及針對LED 和功率 ... http://www.appliedmaterials.co Centura® AdvantEdge™ Mesa™ 蝕刻系統| Applied Materials
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