RC delay 半導體
為生產更精小、更快速的電子元件，連接組件必須維持最小電阻，元件才可能進一步微縮。 這種較高電阻所造成的慢化效應通常稱作阻容延遲(即RC 延遲)，並以多種方式 ... , 由於半導體製程的不斷進步，積體電路的尺寸愈來愈小、電路愈來愈密， ... 阻容遲滯(RC Delay)，RC Delay不僅阻礙時脈成長，同時也會增加電路的 ..., 到了近年來，隨著製程技術的不斷細密化，到了0.25um以下，積體電路在線路上的電阻電容延遲（RC-Delay）效應已增大到成為問題，使線路信號難以 ...,... 半導體製造商遭遇許多問題，其中尤以訊號延遲（RC delay）最嚴重，此問題的解決方式有二：一為採用低電阻之銅導線材料（鋁轉換成銅, 可降低35% RC delay），二 ... ,宣佈銅晶片量產， 使半導體製程進入了銅製. 程時代， 主要就是利用同的電阻值(ρ=1.7)小. 於鋁金屬(ρ=2.8)， 可以降低RC-delay 的影響. 雖然若將介電材料 ... ,... 發展，金屬導線寬度及間距不斷縮小，造成嚴重之電阻電容延遲 (RC Delay) 效應 ... 隨著半導體銅製程技術進 20 nm 世代，各線路之厚度及寬度皆急遽降低，擴散阻 ... , 降低RC Delay，提升晶片運行速度. 在積體電路中，「電阻─電容延遲時間」（RC Delay）是影響半導體元件的速度或性能的重要參數 ..., 如何降低「電阻─電容延遲時間」（RC Delay）、增加半導體元件運行速度，是一重要課題。 IC 製程微縮，阻障層有相對增加電阻的風險. 銅（Cu）和鋁（Al） ...,改善RC 延遲的方法可以採用低. 介電常數的材料作為多層金屬連接線間的絕. 緣層材料，藉以降低金屬與金屬層之間的寄. 生電容大小，因此半導體後段製程中所需的. ,半導體工業發展主流。然而隨著導電線寬的縮小，會使得導體連線架構. 中的電阻(R)及電容(C)所產生的寄生效應，造成嚴重的傳輸延遲(RC delay)，並容易造成線路間 ...
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