KOH 蝕刻速率 濃度
由於單晶矽的結晶方式為鑽石立方結構，所以對某些特定的蝕刻液，如. KOH、EDP 或TMAH 來說，在不同結晶方向會呈現不同的蝕刻速率，此特性. 稱為非等向性蝕刻【72】。 其中 ... ,... KOH濃度、醇類修飾劑濃度等條件下，進行(100)及(110)矽晶格面之蝕刻反應，觀察蝕刻反應後的結果。在最大蝕刻速率的條件下，進行(100)及(110)矽晶格面之圓形凹孔圖案 ... ,2018年6月6日 — 在80℃，浓度33%的典型KOH溶液中腐蚀速率为120μm/h[Kwa，1995]。这是相同温度下25%TMAH溶液的蚀刻速率的4倍。 不同掩模层的蚀刻 ... ,法，而KOH 非等向性蝕刻是一種典型的鹼液濕蝕. 刻。由蝕刻的化學反應方程式可看出影響被蝕刻物之. 蝕刻速率(etching rate) 的因素有三：蝕刻液濃度、. 蝕刻液溫度、及攪拌 ... ,由 林仁輝 著作 · 2004 — 於濃度20%KOH 的. 蝕刻速率5.83nm/s 相去不遠。 採用濃度為30%與40%的KOH，分別. 在蝕刻溫度50 Co. 進行攪拌蝕刻，我們. 可以注意到蝕刻速率隨著濃度的增加. 而遞減，這 ... ,2022年1月25日 — 氢氧化钾浴中硅的蚀刻速率取决于浴的温度和氢氧化钾浓度。为了获得蚀刻时间的足够精确的估计，必须测量这两个参数。 虽然测量温度是一项微不足道的任务， ... ,... 濃度的. 蝕刻溶液下進行實驗，從文獻中KOH濃度30wt.%-80. ℃的蝕刻溶液蝕刻速率為80μm/hr[1]，而葉片攪拌. 式在相同的蝕刻溶液下蝕刻速率平均僅65μm/hr；超. 音波震盪式的 ... ,,利用單晶矽非等向性蝕刻的特性，以摻雜濃度、電化學. 或p-n 接合等蝕刻終止 ... 蝕刻速率KOH (30wt.%). 50. 60. 70. 80. 90. 100. Temperature ( C). 0. 1. 2. 3. E tch rate ...
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3.1 單晶矽非等向性濕式蝕刻
由於單晶矽的結晶方式為鑽石立方結構，所以對某些特定的蝕刻液，如. KOH、EDP 或TMAH 來說，在不同結晶方向會呈現不同的蝕刻速率，此特性. 稱為非等向性蝕刻【72】。 其中 ... http://rportal.lib.ntnu.edu.tw KOH醇類蝕刻液系統應用於單晶矽濕式蝕刻之研究
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法，而KOH 非等向性蝕刻是一種典型的鹼液濕蝕. 刻。由蝕刻的化學反應方程式可看出影響被蝕刻物之. 蝕刻速率(etching rate) 的因素有三：蝕刻液濃度、. 蝕刻液溫度、及攪拌 ... http://www2.nkfust.edu.tw 原子力顯微鏡微影技術之理論建立及實驗分析(33)
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