EPD 蝕刻
Uniformity & Etching rate. ▫ Taper profile control. ▫ CD loss control. ▫ Selectivity. ▫ Plasma damage. ▫ PR removal. ▫ Residue. ▫ EPD control. 16. Taper Profile ... , 何謂蝕刻(Etch)? ... 蝕刻種類:答:(1)干蝕刻(2)濕蝕刻蝕刻對象依薄膜種類可分為:答:poly,oxide,metal半導體中一般金屬導線材質 ... 簡述EPD之功用.,當open area ratio越大時,代表光阻覆蓋區越小,以同樣蝕刻poly silicon來說,open area ratio大的蝕刻率會較慢,對應的是EPD時間變長。 ,子组件所使用之蚀刻、定积和清洗等Trichloroethane其表面张力为25 dyne/ 波洗净 ... 的光学显微镜(Optical Microscope; Detector; EPD)在线监控仪器,来确认. , 物理蝕刻選擇性較低,所以一般先進製程以化學蝕刻為主力. etch Eng.通常在 ... 推stefanie7215:我記得應該是EPD,end-point detection 04/28 07:54., EPD (End Point Detector). 目的:利用etching從開始到結束特定波長光強度的變化,檢測出最佳蝕刻終點, EPD測量的光的強度的變化有兩種。, 如下圖所示,純粹的化學蝕刻通常沒有方向選擇性,上下左右刻蝕速度 ... 極板和腔體的溫度之調節器(Chiller),判斷刻蝕終點之終點檢測器(EPD, ..., 如下图所示,纯粹的化学蚀刻通常没有方向选择性,上下左右刻蚀速度 ... 极板和腔体的温度之调节器(Chiller),判断刻蚀终点之终点检测器(EPD, ...,於蝕刻液對於延伸到氮化鎵表面的缺陷具有擴大並形成孔洞(Pit)的效. 果,因此蝕刻缺陷密度量測(Etching Pit Density:EPD)相較於使用TEM. 來觀測缺陷具有更加 ... ,長缺陷密度量測(growth pit density, GPD)及蝕刻缺陷密度量測(etching pit density, EPD)等。TEM 雖可直接看出晶體缺陷, 但樣品試片製備不. 易; EPD 利用蝕刻液將 ...
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Etching Process
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