De 蝕刻
4W De-Layering 離子蝕刻系統： 4Wave's Ion Beam De-Layering 針對小於48nm 線寬的元件的故障分析，提供一種機動的，具有價格優勢的方法。4Wave's 的系統可以依據客戶的需求， ... ,IC故障分析時需分析內部的晶片、打線、元件時，因封裝膠體阻擋觀察，利用「乾式蝕刻」及「濕式蝕刻」兩種搭配使用，開蓋(decap)、去膠(去除封膠, compound removal)， ... ,在原子層蝕刻製程之後，二硫化鉬薄膜的光學和電特性都不會有所影響。通過重複相同的原子層蝕刻製程，可以對二硫化鉬進行逐層蝕刻，最終我們可以藉此技術達成過渡金屬二硫化物 ... ,將金屬印刷版蝕刻至一定的程度，使得印刷區域往內深陷，印製出的成品輪廓較清晰且印刷版較能耐久。 詞彙：. 深度蝕刻法(P,,U,繁體中文-偏好,D,U,U) ,隨著4K2K電視面板滲透率逐漸攀升，銅線製程已逐步取代鋁線製程，銅/鉬蝕刻液功用在於控制銅/鉬蝕刻的方向性以及調控銅/鉬被蝕刻的速率，藉此蝕刻出平整的銅導線． ,在蝕刻晶圓生產過程中，以靜電式晶圓座(Electrostatic Chuck , ESC)將晶圓吸附於腔體內，其原理是利用靜電吸附力來固定晶圓，以外加電極及電壓來產生靜電吸附的功用， ... ,其. 中TSV 無非是3D IC 製造與封裝過程中最重要的. 環節，運用到的核心技術即為DRIE 製程，藉由深. 蝕刻製程於IC 晶片上完成垂直方向的孔道建構，. 達到3D IC 的理想結構。 ,在平坦化蝕刻中,多. 晶矽薄膜形成一均勻披覆層,披覆層在晶圓上. 因前數道製程所製出的高低不同結構(如溝. 槽、導線接點等)形成厚薄之不同之差異。平. 坦化蝕刻之目的為均匀 ... ,蝕刻（Etching）是在物體的表面，以化學強酸腐蝕、機械拋光研磨或電化學電解的方式，進. 行加工處理，除了增加美觀外，更可提高產品的附加價值。蝕刻的應用範圍廣泛，從企業的.
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4W De-Layering 離子蝕刻系統
4W De-Layering 離子蝕刻系統： 4Wave's Ion Beam De-Layering 針對小於48nm 線寬的元件的故障分析，提供一種機動的，具有價格優勢的方法。4Wave's 的系統可以依據客戶的需求， ... https://www.hakuto.com.tw IC開蓋去除封膠(Decap)
IC故障分析時需分析內部的晶片、打線、元件時，因封裝膠體阻擋觀察，利用「乾式蝕刻」及「濕式蝕刻」兩種搭配使用，開蓋(decap)、去膠(去除封膠, compound removal)， ... https://www.istgroup.com 二維材料電晶體之製作：材料成長及原子層蝕刻
在原子層蝕刻製程之後，二硫化鉬薄膜的光學和電特性都不會有所影響。通過重複相同的原子層蝕刻製程，可以對二硫化鉬進行逐層蝕刻，最終我們可以藉此技術達成過渡金屬二硫化物 ... https://www.airitilibrary.com 深度蝕刻法deep etching
將金屬印刷版蝕刻至一定的程度，使得印刷區域往內深陷，印製出的成品輪廓較清晰且印刷版較能耐久。 詞彙：. 深度蝕刻法(P,,U,繁體中文-偏好,D,U,U) https://aat.teldap.tw 銅製程- 銅鉬蝕刻液
隨著4K2K電視面板滲透率逐漸攀升，銅線製程已逐步取代鋁線製程，銅/鉬蝕刻液功用在於控制銅/鉬蝕刻的方向性以及調控銅/鉬被蝕刻的速率，藉此蝕刻出平整的銅導線． https://www.daxinmat.com 除電參數分析及實驗設計於晶圓蝕刻後之偏移量改善研究
在蝕刻晶圓生產過程中，以靜電式晶圓座(Electrostatic Chuck , ESC)將晶圓吸附於腔體內，其原理是利用靜電吸附力來固定晶圓，以外加電極及電壓來產生靜電吸附的功用， ... https://ndltd.ncl.edu.tw 電漿深蝕刻設備及其製程技術
其. 中TSV 無非是3D IC 製造與封裝過程中最重要的. 環節，運用到的核心技術即為DRIE 製程，藉由深. 蝕刻製程於IC 晶片上完成垂直方向的孔道建構，. 達到3D IC 的理想結構。 https://www.itri.org.tw 電漿蝕刻在VLSI製程之應用(二)
在平坦化蝕刻中,多. 晶矽薄膜形成一均勻披覆層,披覆層在晶圓上. 因前數道製程所製出的高低不同結構(如溝. 槽、導線接點等)形成厚薄之不同之差異。平. 坦化蝕刻之目的為均匀 ... https://tpl.ncl.edu.tw 電蝕刻（Electrical Etching）
蝕刻（Etching）是在物體的表面，以化學強酸腐蝕、機械拋光研磨或電化學電解的方式，進. 行加工處理，除了增加美觀外，更可提高產品的附加價值。蝕刻的應用範圍廣泛，從企業的. http://gclab.thu.edu.tw |