CD 量測
由 黃閔顯 著作 · 2006 · 被引用 1 次 — 臨界尺寸量測方法最佳化之研究. Optimization of Critical Dimension (CD) Measurement Metrology ... 表1-1 本研究與傳統CD 量測方法之評量模式比較表….…………….…5. ,Chroma 7980 3D晶圓量測系統主要整合白光干涉量測技術，進行非破壞性的12吋晶圓之3D關鍵尺寸量測。可進行待測物之關鍵尺寸(CD)、Overlay(OVL)及Thickness等量測需求， ... ,簡介: NEBULA S200/DS200光罩-晶圓CD量測設備採用先進的High precision Sub-pixel Line-Fitting Algorithm 技術和High precision Sub-pixel Derivative Algorithm 精確 ... ,採用高精度光學取像量測模組並結合特殊平台及光源設計，可提供CD/Overlay高精度量測。 分類: 自動光學拍照及量測設備, 面板顯示器檢測設備 ... ,應用材料公司VeritySEM 產品系列最新VeritySEM 5i CD-SEM 系統具備獨一無二的內嵌三維功能，可為1x 奈米節點及以上的邏輯和記憶體元件進行大容量量測。 ,2014年8月18日 — 半導體進入10奈米以下技術節點或三維(3D)結構時，將面臨嚴重的導孔偏移問題，所幸，設備商已研發出具備更高影像解析能力的微距量測掃描式電子 ... ,高解析度FEB测量装置（CD-SEM）CG6300通过电子光学系统的全新设计提高了解析度，并进一步提高了测量可重复性和图像画质。 电子显微镜线圈能够选择从对象材料反射出的二次 ... ,2020年12月14日 — 半導體進入10奈米以下技術節點或三維(3D)結構時，將面臨嚴重的導孔偏移問題，所幸，設備商已研發出具備更高影像解析能力的微距量測掃描式電子 ... ,因此隨著半導體技術的進步，量測上的需求，發展出基於散射測量法(Scatterometry) 的光學參數測量法成為新一代的CD測量方法。 目前控制PEB溫度的關鍵在於熱板的控溫，但是 ...
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 CD 量測 相關參考資料
工學院專班半導體材料與製程設備學程
由 黃閔顯 著作 · 2006 · 被引用 1 次 — 臨界尺寸量測方法最佳化之研究. Optimization of Critical Dimension (CD) Measurement Metrology ... 表1-1 本研究與傳統CD 量測方法之評量模式比較表….…………….…5. https://ir.nctu.edu.tw 3D晶圓量測系統
Chroma 7980 3D晶圓量測系統主要整合白光干涉量測技術，進行非破壞性的12吋晶圓之3D關鍵尺寸量測。可進行待測物之關鍵尺寸(CD)、Overlay(OVL)及Thickness等量測需求， ... https://www.chromaate.com NEBULA S200DS200光罩-晶圓CD量測設備 - 連進電子股份 ...
簡介: NEBULA S200/DS200光罩-晶圓CD量測設備採用先進的High precision Sub-pixel Line-Fitting Algorithm 技術和High precision Sub-pixel Derivative Algorithm 精確 ... http://www.legendtech.com.tw 自動光學CD量測設備 - 晶彩科技
採用高精度光學取像量測模組並結合特殊平台及光源設計，可提供CD/Overlay高精度量測。 分類: 自動光學拍照及量測設備, 面板顯示器檢測設備 ... https://www.favite.com VeritySEM® 5i 量測
應用材料公司VeritySEM 產品系列最新VeritySEM 5i CD-SEM 系統具備獨一無二的內嵌三維功能，可為1x 奈米節點及以上的邏輯和記憶體元件進行大容量量測。 https://www.appliedmaterials.c 20140818 檢測10nm以下半導體CD-SEM量測技術邁大步
2014年8月18日 — 半導體進入10奈米以下技術節點或三維(3D)結構時，將面臨嚴重的導孔偏移問題，所幸，設備商已研發出具備更高影像解析能力的微距量測掃描式電子 ... https://spiderman186.pixnet.ne 高解析度FEB测量装置CG6300（HITACHI CD-SEM）
高解析度FEB测量装置（CD-SEM）CG6300通过电子光学系统的全新设计提高了解析度，并进一步提高了测量可重复性和图像画质。 电子显微镜线圈能够选择从对象材料反射出的二次 ... https://www.hitachi-hightech.c 檢測10nm以下半導體CD-SEM量測技術邁大步 - 人人焦點
2020年12月14日 — 半導體進入10奈米以下技術節點或三維(3D)結構時，將面臨嚴重的導孔偏移問題，所幸，設備商已研發出具備更高影像解析能力的微距量測掃描式電子 ... https://ppfocus.com 博碩士論文行動網
因此隨著半導體技術的進步，量測上的需求，發展出基於散射測量法(Scatterometry) 的光學參數測量法成為新一代的CD測量方法。 目前控制PEB溫度的關鍵在於熱板的控溫，但是 ... https://ndltd.ncl.edu.tw |