電晶體飽和區 :: 軟體兄弟

電晶體飽和區

k假設偏壓在作用區，則. l. * 若，合理，表示偏壓在作用區。此電壓及電流即為所求之答案。 * 若，矛盾，表示應偏壓在飽和區。 (3)飽和區的分析. j. k. l. * 當電晶體偏壓 ... ,雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor，BJT)依結構區分，有npn型及pnp型兩 ... npn電晶體工作在飽和區時，則基射極和基集極之電壓為順向偏壓或反向偏壓？ , 反向作用區：VBE反向偏壓，VBC順向偏壓。作用區內的電晶體特性，可將電晶體當成放大器。截止區內的電晶體像是一個切斷(OFF)的開關。飽和區 ...,跳到工作區 - 截止區：如果雙極性電晶體兩個PN接面的偏壓情況與飽和區恰好相反，那麼電晶體將處於截止區。在這種工作模式下，輸出電流非常小（小功率的矽電晶體 ... ,一、比較VE、VC、VB必須先確定條件，所謂條件有二：○電晶體規格、○電晶體工作 ... 集極接合面(C-B)之偏壓. 主動區(active). 線性區. 順向. 逆向. 飽和區(Saturated). , 1）飽和區（saturation region）. Latex formula 及 Latex formula 均為順偏。當電晶體給足夠大的 Latex formula 時，已無法再增加 Latex formula ..., 此時IC = βIB，電晶體工作於線性放大區，IC受控於IB，BJT可當成一訊號放大器。三、飽和模式（Saturation）：VBE 及VBC均為順偏。連續提升IB值令 ...,PNP. 偏壓接線圖. 在飽和區（saturation region）電晶體可視為短路（VCE = 0.2 V），在截. 止區（cutoff region）電晶體可以視為開路（VCE = VCC），這兩區域的動作. , 我對此問題的理解是：當電晶體處於放大狀態時，基極得到從外電源注入的電子流，部分會與基區中的空穴複合，此時產生的複合電流，構成了基極電流 ...

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