電子電洞複合
1.7.本質半導體. ▫ 熱生成–影響自由電子與電洞的等量濃度. ▫ 因此，電子在整個材料中隨機移動. ▫ 熱平衡時，生成率與復合率相當 ... ,電子進入p 型區都會產生復合，電子電洞同時消失，半導體中就只剩下帶電的摻 ... 生一電場，所導致的漂移電子流（電洞流），方向都和擴散電子流（電洞流）相. 反。 ,進入了p區的電子與電洞複合，進入了n區的電洞與電子複合。其效果是擴散到對方的多數載子（自由電子與電洞）都空乏了，結區只剩下不可移動的帶電 ... ,這個過程我們稱為復合(Recombination)。 •矽的帶溝較鍺為大，也就是說矽的共價鍵較鍺強，在室溫時破壞的 ... ,有單純之矽晶體，電子與電洞濃度相同，可應用之場所並不多，工程師想辦法改變矽 ... 趨於穩態不能算是熱平衡），當電子數因donor 摻入而增加時，電子與電洞之復合 ... ,半導體導電電子和電洞復合時可以放出能量約和帶溝相同之光子，可以. 利用來製作光源。 例如砷化鎵的帶溝為1.4eV，相當於波長約0.9 µm的紅外光，可被用來做. ,電洞」。因為鄰近的價電子有機率會移. 動過來佔據這個空缺，遺留下另一個空缺， ... 黃滿芳國立彰化師範大學光電科技研究所副教授. +. -. 電子與電洞. 複合發光. 電池. ,半導體導電電子和電洞復合時可以放出能量約和帶溝相同之光子，可以. 利用來製作光源。 例如砷化鎵的帶溝為1.4eV，相當於波長約0.9 µm的紅外光，可被用來做. , 由於兩者的載子分佈不均，會形成電子和電洞的濃度差距，造成擴散電子（ ... 的自由電子復合，造成電子和電洞同時消失；n 型半導體的自由電子也會 ...
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 電子電洞複合 相關參考資料
Chapter01 電子學與半導體
1.7.本質半導體. ▫ 熱生成–影響自由電子與電洞的等量濃度. ▫ 因此，電子在整個材料中隨機移動. ▫ 熱平衡時，生成率與復合率相當 ... http://aries.dyu.edu.tw pn 二極體簡介
電子進入p 型區都會產生復合，電子電洞同時消失，半導體中就只剩下帶電的摻 ... 生一電場，所導致的漂移電子流（電洞流），方向都和擴散電子流（電洞流）相. 反。 http://ezphysics.nchu.edu.tw PN接面- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
進入了p區的電子與電洞複合，進入了n區的電洞與電子複合。其效果是擴散到對方的多數載子（自由電子與電洞）都空乏了，結區只剩下不可移動的帶電 ... https://zh.wikipedia.org 半導體中的導電載子---電子與電洞導體中原子間的鍵結都是共價 ...
這個過程我們稱為復合(Recombination)。 •矽的帶溝較鍺為大，也就是說矽的共價鍵較鍺強，在室溫時破壞的 ... http://ezphysics.nchu.edu.tw 半導體元件中的電子何去何從 - 台大電機系 - 國立臺灣大學
有單純之矽晶體，電子與電洞濃度相同，可應用之場所並不多，工程師想辦法改變矽 ... 趨於穩態不能算是熱平衡），當電子數因donor 摻入而增加時，電子與電洞之復合 ... https://ee.ntu.edu.tw 半導體物理簡介
半導體導電電子和電洞復合時可以放出能量約和帶溝相同之光子，可以. 利用來製作光源。 例如砷化鎵的帶溝為1.4eV，相當於波長約0.9 µm的紅外光，可被用來做. http://140.120.11.1 半導體發光原理 - 國立臺灣科學教育館
電洞」。因為鄰近的價電子有機率會移. 動過來佔據這個空缺，遺留下另一個空缺， ... 黃滿芳國立彰化師範大學光電科技研究所副教授. +. -. 電子與電洞. 複合發光. 電池. https://www.ntsec.gov.tw 半導體簡介（pdf）
半導體導電電子和電洞復合時可以放出能量約和帶溝相同之光子，可以. 利用來製作光源。 例如砷化鎵的帶溝為1.4eV，相當於波長約0.9 µm的紅外光，可被用來做. http://ezphysics.nchu.edu.tw 空乏層| 科學Online
由於兩者的載子分佈不均，會形成電子和電洞的濃度差距，造成擴散電子（ ... 的自由電子復合，造成電子和電洞同時消失；n 型半導體的自由電子也會 ... https://highscope.ch.ntu.edu.t |