電子學名詞解釋
應用電子學期末考. 1999.01.14. 中興大學物理系孫允武. 注意事項:. 1. 總分130 分,試題共兩頁。 2. 請依題次作答並標明題次。 3. 解題所需之電路圖 ...,引述《yihsianghuan (unknown)》之銘言: : 以下名詞是在電子學書中讀到的: 感覺這些名詞都很抽象: 有人可以簡單地用中文或英文解釋嗎? : (1) MOS ... , 浮接常運用於地, 如電源地與信號地需隔離時, 將電源地與信號地以一電容隔離, 其電位不受影響, 且因電容隔離, 不成迴路, 可有效防止漣波干擾., 空乏區(Depletion Region): 當PN接面初形成時,N型半導體中的電子會擴散到P型半導體中與電洞結合,P型半導體中的電洞會擴散到N型半導體中 ..., 1. pn 二極體之齊納崩潰(zener breakdown)與雪崩崩潰(avalanche breakdown) 稽納崩潰:因為參雜濃度高,空乏區共價鍵弱,價電子容易被逆偏 ..., (1)Electron mobility 「電子遷移率」 對於載子在晶體中移動是否容易的量測參數請參考維基資料庫的解釋: http://en.wikipedia.org/wiki/ ..., (1)Decoupling capacitor 去耦電容消除或減少電路間的不良耦合的電容 (2) Cross-over distortion in amplifier (3) Miller effect密勒效應是在電子學 ..., 1.空乏區: 將兩塊電流載子均勻分佈的P型和N型材料半導體緊密接合在一起. 雖然沒有外加電壓, 電流載子不受電場影響產生漂移電流, 但對在PN接 ..., 常見電子專有名詞電子專有名詞解釋電子專有名詞字典., 中文名稱及名詞解釋 (1) Sub-threshold current of a MOSFET Ans : 金氧半場效電晶體的次臨界電流當閘極和源極間的電壓VGS(G代表閘極,S代表 ...
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引述《yihsianghuan (unknown)》之銘言: : 以下名詞是在電子學書中讀到的: 感覺這些名詞都很抽象: 有人可以簡單地用中文或英文解釋嗎? : (1) MOS ... https://www.ptt.cc 電子學浮接的名詞解釋? | Yahoo奇摩知識+
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