電場效應
出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 化學名詞-化學術語, field effect, F效應；場效應. 學術名詞 食品科技, field effect, 場效[應]. 學術名詞 化學名詞-兩岸化學 ... ,,場效電晶體（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。 它依靠電場去控制導電通道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載 ... ,斯塔克效应（英语：Stark effect）是原子和分子光譜譜線在外加電場中發生位移和分裂的現象。分裂和位移量稱為斯塔克分裂或斯塔克位移。斯塔克效應又可分為一階和 ... ,橫向電場效應顯示技術（英语：In-Plane-Switching Liquid Crystal，簡稱：英语：In-Plane Switching，縮寫：IPS）為日立製作所於1996年開發的LCD廣視角技術，被廣泛 ... ,TN型的電極在兩片基板上面，施加的電場方向是垂直於基板，液晶分子相對於基板是 ... IPS型的施加電場方式是水平的，因此液晶分子是平行於基板進行扭轉運動，未 ... ,化学中的电场效应（，又叫场效应Field effect，记作F）是指通过空间的分子内静电作用，即某取代基在空间产生一个电场，它对另一处的反应中心发生影响。场效应，场 ... , 请问一下电场效应的原理是什么，场效应管是如何利用电场效应工作的？ ... 特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制 ...,霍爾效應（Hall effect）是指當固體導體放置在一個磁場內，且有電流通過時，導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產生電壓（霍爾電壓）的现象。電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。 ,非對稱閘極MOSFET的高電場效應. The High Electric Effects in Asymmetric Gate MOSFET Device. IC編號:S35-90a-38. 指導教授:鄭湘原 中原大學電子研究所教授.
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 電場效應 相關參考資料
field effect - 電場效應 - 國家教育研究院雙語詞彙
出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 化學名詞-化學術語, field effect, F效應；場效應. 學術名詞 食品科技, field effect, 場效[應]. 學術名詞 化學名詞-兩岸化學 ... http://terms.naer.edu.tw 場效應- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
https://zh.wikipedia.org 場效電晶體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
場效電晶體（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。 它依靠電場去控制導電通道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載 ... https://zh.wikipedia.org 斯塔克效应- 维基百科，自由的百科全书
斯塔克效应（英语：Stark effect）是原子和分子光譜譜線在外加電場中發生位移和分裂的現象。分裂和位移量稱為斯塔克分裂或斯塔克位移。斯塔克效應又可分為一階和 ... https://zh.wikipedia.org 橫向電場效應顯示技術- 维基百科，自由的百科全书
橫向電場效應顯示技術（英语：In-Plane-Switching Liquid Crystal，簡稱：英语：In-Plane Switching，縮寫：IPS）為日立製作所於1996年開發的LCD廣視角技術，被廣泛 ... https://zh.wikipedia.org 橫向電場效應顯示技術@ blog :: 隨意窩Xuite日誌
TN型的電極在兩片基板上面，施加的電場方向是垂直於基板，液晶分子相對於基板是 ... IPS型的施加電場方式是水平的，因此液晶分子是平行於基板進行扭轉運動，未 ... https://blog.xuite.net 电场效应_百度百科
化学中的电场效应（，又叫场效应Field effect，记作F）是指通过空间的分子内静电作用，即某取代基在空间产生一个电场，它对另一处的反应中心发生影响。场效应，场 ... https://baike.baidu.com 电场效应的原理是什么？_百度知道
请问一下电场效应的原理是什么，场效应管是如何利用电场效应工作的？ ... 特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制 ... https://zhidao.baidu.com 霍爾效應- 维基百科，自由的百科全书
霍爾效應（Hall effect）是指當固體導體放置在一個磁場內，且有電流通過時，導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產生電壓（霍爾電壓）的现象。電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。 https://zh.wikipedia.org 非對稱閘極MOSFET的高電場效應
非對稱閘極MOSFET的高電場效應. The High Electric Effects in Asymmetric Gate MOSFET Device. IC編號:S35-90a-38. 指導教授:鄭湘原 中原大學電子研究所教授. http://www2.cic.org.tw |