障壁電壓英文
位（Potential barrier）」，一般而言，Ge 的P-N 接合面的障壁電位約為 ... 當半導體二極體的P 端施加正電壓，N 端施加負電壓時，此種電壓狀態稱. 為順向偏壓（Forward ... ,一般來說，只有在順向超過障壁電壓時，二極管才會工作（此狀態被稱為順向偏壓）。 ... 半導體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜 ... ,二極體（英语：Diode），是一種具有不對稱电导的双電極电子元件。理想的二極體在正向導通时两个 ... 一般来说，只有在正向超過障壁電壓时，二極體才會工作（此状态被称为順向偏壓）。一个正向偏置的二極體两端的电压降变化只与电流有一点关系， ... ,一般來說，只有在順向超過障壁電壓時，二極體才會工作（此狀態被稱為順向偏壓）。 ... 半導體二極體的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜 ... , 4. 二極體的順向特性. 存在一個切入( 膝點) 電壓( 即障壁電壓). 鍺約0.2V. 矽約0.7V. 當外加電壓< 切入電壓， I d. =0. 當外加電壓> 切入電壓， I d., 我不確定中文跟我唸的英文是否一樣 二極體有兩極P和N 當正電壓加在P 負電壓加在N時叫做順向偏壓你說的"切入電壓"應該是指這個 ...,如果切入電壓和障壁電位是相同的話(有人在討論這兩者的不同) ... 想3：溫度上升共價鍵破裂(熱擾動)=>產生更多自由電子電洞對=>障壁電位變 ... ,障壁電壓順向導通電壓順向切入電壓. 這3者到底是不是相同的東西呢?? 從題目來看Si 都是0.6 0.7. 但障壁電壓是在製造時依照摻雜濃度就決定好的. ,根據Junction law~~電壓越大推得越多. 所以不再是細水管了PN的少數載子大量提升. 故有大量電流. 如果順向偏壓的解釋合理. 由順向偏壓的合理 ... , 電壓有可能是5伏,10伏甚至是100伏(視電路和電晶體而定)，而且可以輕易克服由集極和基極之間因為逆向偏壓而產生之微弱的障壁電壓(0.6伏)。
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 障壁電壓英文 相關參考資料
P-N 接面二極體P-N Junction Diode
位（Potential barrier）」，一般而言，Ge 的P-N 接合面的障壁電位約為 ... 當半導體二極體的P 端施加正電壓，N 端施加負電壓時，此種電壓狀態稱. 為順向偏壓（Forward ... http://www.taiwan921.lib.ntu.e 二極管- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
一般來說，只有在順向超過障壁電壓時，二極管才會工作（此狀態被稱為順向偏壓）。 ... 半導體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜 ... https://zh.wikipedia.org 二極管- 维基百科，自由的百科全书
二極體（英语：Diode），是一種具有不對稱电导的双電極电子元件。理想的二極體在正向導通时两个 ... 一般来说，只有在正向超過障壁電壓时，二極體才會工作（此状态被称为順向偏壓）。一个正向偏置的二極體两端的电压降变化只与电流有一点关系， ... https://zh.wikipedia.org 二極體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
一般來說，只有在順向超過障壁電壓時，二極體才會工作（此狀態被稱為順向偏壓）。 ... 半導體二極體的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜 ... https://zh.wikipedia.org 二極體特性
4. 二極體的順向特性. 存在一個切入( 膝點) 電壓( 即障壁電壓). 鍺約0.2V. 矽約0.7V. 當外加電壓< 切入電壓， I d. =0. 當外加電壓> 切入電壓， I d. https://sywung.files.wordpress 二級體切入電壓跟障壁電位的差異| Yahoo奇摩知識+
我不確定中文跟我唸的英文是否一樣 二極體有兩極P和N 當正電壓加在P 負電壓加在N時叫做順向偏壓你說的"切入電壓"應該是指這個 ... https://tw.answers.yahoo.com 大學物理相關內容討論:二極體溫度效應 - 國立臺灣師範大學物理學系
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障壁電壓順向導通電壓順向切入電壓. 這3者到底是不是相同的東西呢?? 從題目來看Si 都是0.6 0.7. 但障壁電壓是在製造時依照摻雜濃度就決定好的. http://www.phy.ntnu.edu.tw 大學物理相關內容討論:想問一下PN二極體 - 國立臺灣師範大學物理學系
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電壓有可能是5伏,10伏甚至是100伏(視電路和電晶體而定)，而且可以輕易克服由集極和基極之間因為逆向偏壓而產生之微弱的障壁電壓(0.6伏)。 https://tw.answers.yahoo.com |