鎳 電 漿
由 吳嘉翎 著作 · 2023 — 本研究將氯化鋰-硝酸鎳漿料以網版印刷的方式網印在碳布基材上後，利用大氣常壓電漿(Atmospheri-Pressure Plasma, APP)對網印部分進行短時間(10分鐘以內)的鍛燒， ... ,詳目顯示 ... 論文摘要本實驗以離子束濺鍍法(Ion Beam Sputter)在玻璃基板上沈積鎳(Ni)誘發層，並藉由電子迴旋共振電漿(ECR-Plasma)做表面處理，以形成鎳奈米粒子並欲藉以 ... ,故本論文研究是使用常壓電漿製備氧化鎳變色薄膜(Glass/ITO/NiO)，不同的常壓電漿系統操作參數為電漿火炬高度的變化、藥品噴口的角度變化。 ,由 謝育忠 著作 · 2002 · 被引用 1 次 — 本研究利用反應性電漿離子濺鍍(Sputtering)方式製備電致色變氧化鎳薄膜，利用不同的製程參數，探討製備之氧化鎳薄膜電致色變特性與耐久使用性能，而其電化學性質量測時 ... ,項目. 微弧電漿氧化. 化學鎳 ; 覆蓋性. 佳. 優 ; 硬度. 高(~Hv1500). 低(Hv400~500) ; 附著性. 冶金級介面，附著性極強. 介面為機械咬合，附著性佳 ; 導電性. 不導電. 導電. ,2011年3月19日 — ... 電漿轟擊蝕刻鎳薄膜效果比純氫電漿大。而氮氫比例(1:3)電漿源預處理鎳薄膜結果有較小的鎳顆粒粒徑及較高的顆粒密度，凡得瓦爾力影響較大，對後續成長 ... ,... 電漿共振儀的結果，我們提出鎳鈷鉻合金層與金層之間界面邊緣處所形成的氫氧化鉻，是削弱鎳鈷鉻/金系統之抗腐蝕性的原因。 以多種分析技術探討電漿濺鍍之中熵合金薄膜的腐蝕. ,由 謝松齡 著作 · 2003 — 利用氧化爐管合成的高介電常數材料鈦酸鈷及鈦酸鎳，其可被運. 用在非揮發性記憶體元件、隨機存取記憶體、及金氧半場效電晶體閘. 及氧化層上。將其用來取代複晶矽氧化層 ... ,而銅鎳及銀鎳電極的合成方法，乃使用電漿濺鍍方式將鎳金屬沈積於銅或銀. 的基板上，製備出含鎳金屬的複合電極。 圖1 二氧化碳電化學還原反應實驗系統. 三、實驗結果與 ...
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詳目顯示 ... 論文摘要本實驗以離子束濺鍍法(Ion Beam Sputter)在玻璃基板上沈積鎳(Ni)誘發層，並藉由電子迴旋共振電漿(ECR-Plasma)做表面處理，以形成鎳奈米粒子並欲藉以 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 常壓電漿沉積電致色變氧化鎳薄膜之研究
故本論文研究是使用常壓電漿製備氧化鎳變色薄膜(Glass/ITO/NiO)，不同的常壓電漿系統操作參數為電漿火炬高度的變化、藥品噴口的角度變化。 https://ndltd.ncl.edu.tw 電漿濺鍍電致色變氧化鎳薄膜特性研究與節能評估
由 謝育忠 著作 · 2002 · 被引用 1 次 — 本研究利用反應性電漿離子濺鍍(Sputtering)方式製備電致色變氧化鎳薄膜，利用不同的製程參數，探討製備之氧化鎳薄膜電致色變特性與耐久使用性能，而其電化學性質量測時 ... https://www.airitilibrary.com 化學鎳-微弧氧化-表面處理
項目. 微弧電漿氧化. 化學鎳 ; 覆蓋性. 佳. 優 ; 硬度. 高(~Hv1500). 低(Hv400~500) ; 附著性. 冶金級介面，附著性極強. 介面為機械咬合，附著性佳 ; 導電性. 不導電. 導電. http://www.maotsmt.com 微波電漿中氮氫比例對鎳薄膜預處理的影響
2011年3月19日 — ... 電漿轟擊蝕刻鎳薄膜效果比純氫電漿大。而氮氫比例(1:3)電漿源預處理鎳薄膜結果有較小的鎳顆粒粒徑及較高的顆粒密度，凡得瓦爾力影響較大，對後續成長 ... http://eportfolio.lib.ksu.edu. 以多種分析技術探討電漿濺鍍之中熵合金薄膜的腐蝕行為
... 電漿共振儀的結果，我們提出鎳鈷鉻合金層與金層之間界面邊緣處所形成的氫氧化鉻，是削弱鎳鈷鉻/金系統之抗腐蝕性的原因。 以多種分析技術探討電漿濺鍍之中熵合金薄膜的腐蝕. https://www.ch.ntu.edu.tw 利用氨氣一氧化二氮電漿處理在鈦酸鎳 ...
由 謝松齡 著作 · 2003 — 利用氧化爐管合成的高介電常數材料鈦酸鈷及鈦酸鎳，其可被運. 用在非揮發性記憶體元件、隨機存取記憶體、及金氧半場效電晶體閘. 及氧化層上。將其用來取代複晶矽氧化層 ... https://ir.lib.nycu.edu.tw 使用電漿法製備應用於轉化甲烷之複合型金屬電極研究
而銅鎳及銀鎳電極的合成方法，乃使用電漿濺鍍方式將鎳金屬沈積於銅或銀. 的基板上，製備出含鎳金屬的複合電極。 圖1 二氧化碳電化學還原反應實驗系統. 三、實驗結果與 ... https://proj.ftis.org.tw |