銅製 程 溫度
薄膜變化，再評估氮化鋯薄膜作為銅製程與矽基材間擴散阻礙層的. 可行性。 ... 而且此金屬幾乎要與銅不互溶，即使溫度非常高也要保. 持與銅的溶解度很低的性質。 ,然而這些有機化合物會殘留在鍍層中，增加銅金屬層的電阻。 本研究的主要目的是改進無電鍍的鍍液穩定性，並降低沈積溫度，因此針對以氮化鉭為阻障層材料的矽 ... ,銅矽化合物產生，顯示銅合金薄膜具有較佳之擴散阻障能力。經X. 光繞射儀及四點探針分析研究發現，銅合金（自形成）薄膜可有效將. 阻障極限溫度自300 °C 提升 ... ,3. 成鋁矽銅(Al-Si-Cu)合金導線。因為矽在400℃左右對鋁有相當程度的. 固態溶解度(Solid Solubility)，因此，當鋁材在歷經溫度400℃以上的製. 程溫度時，會與矽表面 ... ,隨著半導體銅製程技術進 20 nm 世代，各線路之厚度及寬度皆急遽降低，擴散阻障 ... 圖左至右：元素數與失效溫度之關係；矽/銅與矽/擴散阻障層(1N-6N)/銅疊層結構經 ... ,溫度愈高，成長的晶粒也就比較大，沉積薄膜的均勻性 ... 當溫度較高時，Si的沉積速率將隨著. 溫度的 ... 銅製程是現今最先進，應用於0.13 μm以下的VLSI金屬化技. 術 ... ,溫度、pH值等方法製備出複晶與非晶結構的無電鍍薄膜[1]，鍍上錫銀銅 ... 銅製程雖有以上的優點，但仍然有許多問題待解決，且隨著材料與製程的進. 步，這些問題已 ... ,還原劑還原成奈米銅膜。之後觀察沉積溫度對. (Cu2O+Cu)和銅薄膜之表面型態、結晶結構、薄膜電阻. 值及化學組成O/Cu比的影響，以尋求符合銅製程中成. 長晶種層 ... ,選擇性銅薄膜沉積製程控制複雜，影. 響選擇性沉積的因素有基材的導電性、基. 材溫度、反應壓力以及表面處理。利用選. 擇性沉積銅薄膜技術必須在trench 的底部. 形成 ...
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 銅製 程 溫度 相關參考資料
1、前言 - eThesys 國立中山大學學位論文服務
薄膜變化，再評估氮化鋯薄膜作為銅製程與矽基材間擴散阻礙層的. 可行性。 ... 而且此金屬幾乎要與銅不互溶，即使溫度非常高也要保. 持與銅的溶解度很低的性質。 https://etd.lis.nsysu.edu.tw 博碩士論文行動網 - 全國博碩士論文資訊網
然而這些有機化合物會殘留在鍍層中，增加銅金屬層的電阻。 本研究的主要目的是改進無電鍍的鍍液穩定性，並降低沈積溫度，因此針對以氮化鉭為阻障層材料的矽 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 國立中興大學材料科學與工程學系碩士學位論文濺鍍銅合金薄膜 ...
銅矽化合物產生，顯示銅合金薄膜具有較佳之擴散阻障能力。經X. 光繞射儀及四點探針分析研究發現，銅合金（自形成）薄膜可有效將. 阻障極限溫度自300 °C 提升 ... http://ir.lib.nchu.edu.tw 國立交通大學機構典藏- 交通大學
3. 成鋁矽銅(Al-Si-Cu)合金導線。因為矽在400℃左右對鋁有相當程度的. 固態溶解度(Solid Solubility)，因此，當鋁材在歷經溫度400℃以上的製. 程溫度時，會與矽表面 ... https://ir.nctu.edu.tw 多元材料製程與性質
隨著半導體銅製程技術進 20 nm 世代，各線路之厚度及寬度皆急遽降低，擴散阻障 ... 圖左至右：元素數與失效溫度之關係；矽/銅與矽/擴散阻障層(1N-6N)/銅疊層結構經 ... http://web.nchu.edu.tw 物理氣相沉積
溫度愈高，成長的晶粒也就比較大，沉積薄膜的均勻性 ... 當溫度較高時，Si的沉積速率將隨著. 溫度的 ... 銅製程是現今最先進，應用於0.13 μm以下的VLSI金屬化技. 術 ... http://waoffice.ee.kuas.edu.tw 第一章緒論 - 國立交通大學機構典藏
溫度、pH值等方法製備出複晶與非晶結構的無電鍍薄膜[1]，鍍上錫銀銅 ... 銅製程雖有以上的優點，但仍然有許多問題待解決，且隨著材料與製程的進. 步，這些問題已 ... https://ir.nctu.edu.tw 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告
還原劑還原成奈米銅膜。之後觀察沉積溫度對. (Cu2O+Cu)和銅薄膜之表面型態、結晶結構、薄膜電阻. 值及化學組成O/Cu比的影響，以尋求符合銅製程中成. 長晶種層 ... http://ir.lib.ntust.edu.tw 銅金屬與低介電常數材料與製程 - 國立彰化師範大學機電工程學系
選擇性銅薄膜沉積製程控制複雜，影. 響選擇性沉積的因素有基材的導電性、基. 材溫度、反應壓力以及表面處理。利用選. 擇性沉積銅薄膜技術必須在trench 的底部. 形成 ... http://www.me.ncue.edu.tw |