釕半導體
論文名稱: 釕與二氧化釕複合薄膜於導體、半導體與絕緣體基材上之無電鍍沉積. 論文名稱(外文):, Electroless Deposition of Composite Ruthenium and Ruthenium ... ,... deposition) 所沉積的金屬釕(Ru) 薄膜應用於半導體銅製程中擴散阻障層的可行性 ... 對沉積於鍍有鈦金屬薄膜的二氧化矽基材上的無電鍍釕薄膜之成份、結構、晶粒 ... ,標題: 釕與二氧化釕複合薄膜於導體、半導體與絕緣體基材上之無電鍍沉積. Electroless Deposition of Composite Ruthenium and Ruthenium Dioxide Thin Films on ... , 為了減緩在半導體製造發展道路上出現的高密度互連挑戰，比利時研究 ... Tokei說，Imec還著眼於以替代金屬取代銅(Cu)，看好鈷(Co)、釕(Ru)以及 ..., 英特格表示，以新材料需求而言，半導體製程從7奈米開始，銅會逐漸被鈷（Co）、釕（Ru）等取代，到3奈米時則可能採用奈米碳管。英特格副技術 ..., 根據Imec預測，半導體製程特徵尺寸在接下來幾個節點會繼續以個位數奈米微縮，但在2奈米節點的40奈米閘極長度與16奈米金屬間距之後，恐怕不會 ..., Imec發表最新的5nmn BEOL互連解決方案，並著眼於以鈷(Co)、釕(Ru)等替代金屬取代銅(Cu)，以克服在半導體製造道路上出現的互連挑戰。,在半導體製程中，銅與其阻障層的化學機械研磨為關鍵步驟，目前阻障層大多以组或氮化组為主，本計晝將採用金屬釕作為阻障層材料，因為它們具有高導電性且在高 ... ,新興應用[编辑]. Intel 在自家半導體10nm製程上，在後端製程BEOL中首次使用金屬釕材料。
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新興應用[编辑]. Intel 在自家半導體10nm製程上，在後端製程BEOL中首次使用金屬釕材料。 https://zh.wikipedia.org |