量子井計算
最簡單的例子--無窮位能井-[位能函數：V(x) = -left- -beginarray}lr} 0 & , 0 -le x -le L-- -infty & , -textrmotherwise} -endarray} -right. -] 這是一個可以精確解的問題， ... ,本論文針對砷化鎵/砷化鋁鎵多層量子井波導在近半能隙波長範圍,探 討其有效折射率與雙折射率對波長的關係.在理論計算上,用等效折射率取 代多層量子井結構, ... ,3.14 量子井中的能階考慮一GaAs量子井夾在兩個層之間。位障高度約0.30 eV，井中電子的有效質量為，量子井的寬度為8 nm。計算距離底部的能階和，假設無限 ... ,綠光氮化銦鎵發光二極體量子井活性區設計之理論研究. Numerical Simulation ... 或稱之為晶. 格不匹配，計算公式為1.1 [23]，其中a0 代表基板的晶格常數，a 代表 ... ,我才有辦法談量子井. 因為基礎是以上那些, 然後我在推導特徵值En以及特徵方程Ψn的時候你才知道這些答案的意義.. 另外不知道你有沒有修過工程數學的 ... ,量子力學顯露出一種內稟統計行為。同樣的一個實驗重複地做很多次，每次實驗的測量結果通常不會一樣，只有從很多次的實驗結果計算出來的統計平均值，才是可 ... ,在物理學裏，無限深方形阱（infinite square potential），又稱為無限深位勢阱（infinite potential well），是一個阱內位勢為0 ，阱外位勢為無限大的位勢阱。思考一個或多個粒子，永遠地束縛於無限深位勢阱內，無法逃出。關於這些粒子的量子行為的問題，稱為無限深方形阱問題，又稱為無限深位勢阱 ... 所以，為了方便計算，選擇 A = 2 L -displaystyle A=-sqrt -frac 2}L}}}} ... ,在計算量子井躍遷訊號時，還要考慮能帶落差(band offset)，所謂能帶. 落差是指異質結構的導帶與價帶在接面上的差值佔彼此能隙差g. E. ∆ 的. 百分率。對導帶而言 ... ,論文名稱: 量子井半導體雷射增益之計算與分析. 論文名稱(外文):, Calculation and Analysis of Gain in Quantum Well Semiconductor Lasers. 指導教授: 黃永生 · 黃 ... ,本文分為兩部份，Part A是垂直腔面射型雷射的研製，Part B是多重量子井能階值之計算。在Part A部份，我們針對垂直腔面射型雷射(Vertical Cavity Surface ...
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一維量子力學 - 計算物理
最簡單的例子--無窮位能井-[位能函數：V(x) = -left- -beginarray}lr} 0 & , 0 -le x -le L-- -infty & , -textrmotherwise} -endarray} -right. -] 這是一個可以精確解的問題， ... http://physexp.thu.edu.tw 博碩士論文行動網 - 全國博碩士論文資訊網
本論文針對砷化鎵/砷化鋁鎵多層量子井波導在近半能隙波長範圍,探 討其有效折射率與雙折射率對波長的關係.在理論計算上,用等效折射率取 代多層量子井結構, ... https://ndltd.ncl.edu.tw 問題與習題
3.14 量子井中的能階考慮一GaAs量子井夾在兩個層之間。位障高度約0.30 eV，井中電子的有效質量為，量子井的寬度為8 nm。計算距離底部的能階和，假設無限 ... http://faculty.pccu.edu.tw 國立彰化師範大學光電科技研究所碩士論文研究生 - 郭艷光
綠光氮化銦鎵發光二極體量子井活性區設計之理論研究. Numerical Simulation ... 或稱之為晶. 格不匹配，計算公式為1.1 [23]，其中a0 代表基板的晶格常數，a 代表 ... http://ykuo.ncue.edu.tw 大學物理相關內容討論:""有沒有人整理出量子力學的幾個量子井 ...
我才有辦法談量子井. 因為基礎是以上那些, 然後我在推導特徵值En以及特徵方程Ψn的時候你才知道這些答案的意義.. 另外不知道你有沒有修過工程數學的 ... http://www.phy.ntnu.edu.tw 期望值(量子力學) - 维基百科，自由的百科全书
量子力學顯露出一種內稟統計行為。同樣的一個實驗重複地做很多次，每次實驗的測量結果通常不會一樣，只有從很多次的實驗結果計算出來的統計平均值，才是可 ... https://zh.wikipedia.org 無限深方形阱- 维基百科，自由的百科全书
在物理學裏，無限深方形阱（infinite square potential），又稱為無限深位勢阱（infinite potential well），是一個阱內位勢為0 ，阱外位勢為無限大的位勢阱。思考一個或多個粒子，永遠地束縛於無限深位勢阱內，無法逃出。關於這些粒子的量子行為的問題，稱為無限深方形阱問題，又稱為無限深位勢阱 ... 所以，為了方便計算，選擇 A = 2 L -displaysty... https://zh.wikipedia.org 第一章簡介
在計算量子井躍遷訊號時，還要考慮能帶落差(band offset)，所謂能帶. 落差是指異質結構的導帶與價帶在接面上的差值佔彼此能隙差g. E. ∆ 的. 百分率。對導帶而言 ... http://rportal.lib.ntnu.edu.tw 量子井半導體雷射增益之計算與分析__臺灣博碩士論文知識加值 ...
論文名稱: 量子井半導體雷射增益之計算與分析. 論文名稱(外文):, Calculation and Analysis of Gain in Quantum Well Semiconductor Lasers. 指導教授: 黃永生 · 黃 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 面射型雷射的研製與多重量子井能階值之計算 - 國立交通大學 ...
本文分為兩部份，Part A是垂直腔面射型雷射的研製，Part B是多重量子井能階值之計算。在Part A部份，我們針對垂直腔面射型雷射(Vertical Cavity Surface ... https://ir.nctu.edu.tw |