轉導gm公式
論壇網友@fred0320提問：gm/id看起來是非常方便的設計方法。 ... Vod方法是針對長溝道器件的，現在基本都是短溝道器件了，長溝道公式來估算 ...,引述《newwrite (jikk)》之銘言： : 最近念到了電子學中轉導的部分想請教一下: 1.在MOS和BJT中都要我們算gm : 請問一下gm的大小代表了元件的何 ... ,標題Re: [理工] 電子學轉導公式. 時間Wed Jun 6 00:42:13 2012. gm=2庚號(Id*k) 然後Id=k*(Vgs-Vt)^2 ===> k=Id/(Vgs-vd)^2 再把k帶入第一式就可以求出答案了喔~ ... ,做考題的時候看到一個跟FET有關的公式(題目是解JFET) gm=2Id/(Vgs-Vt) 小弟從前師承劉明彰但是翻遍他的書找不出這個公式怎麼來的而且以我對FET所知 ... ,做考題的時候看到一個跟FET有關的公式(題目是解JFET) gm=2Id/(Vgs-Vt) 小弟從前師承劉明彰但是翻遍他的書找不出這個公式怎麼來的而且以我 ... ,圖8-11(b)為其轉移特性曲線，拋物線的底端為VT，因此它的公式為： ... 間，產生的洩極電流Id，其值為gmVgs。gm稱為互導(transconductance)，單位為西門斯或姆歐。 ,n-MOSFET 之參數為VTN = 1V，(1/2)μnCox = 20μA/V. 2 及W/L = 40。 設汲極電流ID = 1mA。求gm. 解：. MOSFET 轉導(即增益)比BJT 來的小，. 但有較高輸入阻抗、 ... ,老實說增強型MOSFET和空乏型MOSFET因該是要反過來ㄉ. 因為阿空乏型裡面沒有K值. 然後gm=(2IDSS/Vp)(1-Vgs/Vp)這ㄍ公式裡面ㄉ2IDSS/VP. 中ㄉVP要掛絕對 ...
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gmid的物理實質是什麼？ - 每日頭條
論壇網友@fred0320提問：gm/id看起來是非常方便的設計方法。 ... Vod方法是針對長溝道器件的，現在基本都是短溝道器件了，長溝道公式來估算 ... https://kknews.cc Re: [問題] gm的實際意義- 看板Electronics - 批踢踢實業坊
引述《newwrite (jikk)》之銘言： : 最近念到了電子學中轉導的部分想請教一下: 1.在MOS和BJT中都要我們算gm : 請問一下gm的大小代表了元件的何 ... https://www.ptt.cc Re: [理工] 電子學轉導公式- 看板Grad-ProbAsk - 批踢踢實業坊
標題Re: [理工] 電子學轉導公式. 時間Wed Jun 6 00:42:13 2012. gm=2庚號(Id*k) 然後Id=k*(Vgs-Vt)^2 ===> k=Id/(Vgs-vd)^2 再把k帶入第一式就可以求出答案了喔~ ... https://www.ptt.cc [理工] 電子學轉導公式- Grad-ProbAsk | PTT Web
做考題的時候看到一個跟FET有關的公式(題目是解JFET) gm=2Id/(Vgs-Vt) 小弟從前師承劉明彰但是翻遍他的書找不出這個公式怎麼來的而且以我對FET所知 ... https://pttweb.tw [理工] 電子學轉導公式- 看板Grad-ProbAsk - 批踢踢實業坊
做考題的時候看到一個跟FET有關的公式(題目是解JFET) gm=2Id/(Vgs-Vt) 小弟從前師承劉明彰但是翻遍他的書找不出這個公式怎麼來的而且以我 ... https://www.ptt.cc 場效電晶體
圖8-11(b)為其轉移特性曲線，拋物線的底端為VT，因此它的公式為： ... 間，產生的洩極電流Id，其值為gmVgs。gm稱為互導(transconductance)，單位為西門斯或姆歐。 http://163.28.10.78 第4 章MOSFET 放大器講義與作業
n-MOSFET 之參數為VTN = 1V，(1/2)μnCox = 20μA/V. 2 及W/L = 40。 設汲極電流ID = 1mA。求gm. 解：. MOSFET 轉導(即增益)比BJT 來的小，. 但有較高輸入阻抗、 ... http://eportfolio.lib.ksu.edu. 誰能幫我整理電子學MOSFET以及OPA重點公式| Yahoo奇摩知識+
老實說增強型MOSFET和空乏型MOSFET因該是要反過來ㄉ. 因為阿空乏型裡面沒有K值. 然後gm=(2IDSS/Vp)(1-Vgs/Vp)這ㄍ公式裡面ㄉ2IDSS/VP. 中ㄉVP要掛絕對 ... https://tw.answers.yahoo.com |