蝕刻終止
出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電子工程, etch stop, 終止蝕刻. 以終止蝕刻 進行詞彙精確檢索結果. 出處/學術領域, 中文詞彙, 英文詞彙. 學術名詞 ,... 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電子工程, etch stop layer, 蝕刻停止層. 學術名詞 電機工程, etch stop layer, 蝕刻終止層. 以蝕刻終止層 進行詞彙精確檢索結果 ... ,一方面而言，半導體製造過程包含在絕緣物上矽(SOI)晶圓之主動層與BOX層之間併入一蝕刻終止層(ESL)。此ESL有助於源極與汲極壓力層的形成。具體而言， ... ,111}晶格面的垂直結構外，還可以同時利用這兩種蝕刻終止面，將矽基材分割. 成多種不同形狀的三維結構；此外，該平台也具備屬於濕式蝕刻的凸角底切製造. ,單晶矽蝕刻技術(single crystal silicon etching techniques). (Wet/Dry Etching). (Isotropic/Anisotropic etching). 蝕刻終止技術(etching stop techniques). (Boron etch ... ,地，而乾蝕刻可精確地控制矽晶片薄膜厚度。濕蝕. 刻及乾蝕刻各有其優缺點(2)。 製造技術中非等向性濕蝕刻之蝕刻終止技術，. 主要分為下面幾種。P+ 自動停止 ... ,離子束蝕刻. 乾式. 化學蝕刻. 技術. 化學蝕刻. 電化學蝕刻. 光輔助電化學蝕刻. 濕式. 蝕刻技術. •等向性蝕刻. •非等向性蝕刻. •蝕刻終止技術. 體型微加工. 技術. 矽. 基. 微. ,體型微機械加工技術是建立在單晶矽非等向性蝕刻、雙面對準、蝕刻終止與蝕刻幕. 罩保護等技術上，大約於1970 年代開始發展，最初被應用於積體電路，後來逐漸. ,蝕刻終止(etch stop)係指將晶片蝕刻到最後，終止於其它不會被蝕刻液所蝕. 刻的薄膜或是經過摻雜(doping)的矽晶圓。目前在溼式蝕刻技術較常使用的蝕刻. ,選擇性是兩個蝕刻速率的比率：被移除層的速率以及被保護層的速率(例如蝕刻光罩或終止層)。掩模或停止層）較高選擇性通常是最理想的。 反應離子蝕刻(RIE，如 ...
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etch stop - 終止蝕刻 - 國家教育研究院雙語詞彙
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一方面而言，半導體製造過程包含在絕緣物上矽(SOI)晶圓之主動層與BOX層之間併入一蝕刻終止層(ESL)。此ESL有助於源極與汲極壓力層的形成。具體而言， ... https://patents.google.com 利用矽晶片製造與整合微系統的思維與架構 - NTHU PME Micro ...
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單晶矽蝕刻技術(single crystal silicon etching techniques). (Wet/Dry Etching). (Isotropic/Anisotropic etching). 蝕刻終止技術(etching stop techniques). (Boron etch ... http://blog.ncut.edu.tw 濕蝕刻矽薄膜厚度即時監控之新穎方法 - 儀科中心
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離子束蝕刻. 乾式. 化學蝕刻. 技術. 化學蝕刻. 電化學蝕刻. 光輔助電化學蝕刻. 濕式. 蝕刻技術. •等向性蝕刻. •非等向性蝕刻. •蝕刻終止技術. 體型微加工. 技術. 矽. 基. 微. http://mems.mt.ntnu.edu.tw 矽溼式蝕刻技術 - 微奈米光機電系統實驗室
體型微機械加工技術是建立在單晶矽非等向性蝕刻、雙面對準、蝕刻終止與蝕刻幕. 罩保護等技術上，大約於1970 年代開始發展，最初被應用於積體電路，後來逐漸. http://mems.mt.ntnu.edu.tw 第三章應用理論與技術 - 國立臺灣師範大學
蝕刻終止(etch stop)係指將晶片蝕刻到最後，終止於其它不會被蝕刻液所蝕. 刻的薄膜或是經過摻雜(doping)的矽晶圓。目前在溼式蝕刻技術較常使用的蝕刻. http://rportal.lib.ntnu.edu.tw 蝕刻| Applied Materials
選擇性是兩個蝕刻速率的比率：被移除層的速率以及被保護層的速率(例如蝕刻光罩或終止層)。掩模或停止層）較高選擇性通常是最理想的。 反應離子蝕刻(RIE，如 ... https://www.appliedmaterials.c |