等向性蝕刻
在進行蝕刻時如果對每個方向(xyz) 的蝕刻速率都一樣則稱為等向性蝕刻. (isotropic etching) ，這種蝕刻線寬會變大而側壁(side wall) 呈弧形，稱額外. 被蝕刻的部份為切底( ... ,▫ 自由基蝕刻純化學反應. ▫ 高選擇性; 等向性蝕刻. 物理蝕刻. ▫ 用鈍性離子如Ar+進行轟擊. ▫ 從表面物理性地移除物質. ▫ 非等向性輪廓; 低選擇性. ▫ 範例: Ar濺鍍蝕刻. ,▫ Isotropic (等向性):. ▫ Best to use with large geometries, when sidewall ... 以活性離子蝕刻. 為例，就是利用電漿放電方式進. 行異向性蝕刻的方法。 ▫ 在電 ... ,2010年7月5日 — ... 蝕刻本質上乃是一種『等向性蝕刻』(isotropic etching)。等向性蝕刻意味著，濕蝕刻不但會在縱向進行蝕刻，而且也會有橫向的蝕刻效果。橫向蝕刻會導致 ... ,可控制從非等向性到等向性. 蝕刻速率. 高. 尚可，且可控制. 選擇性. 高. 尚可，且 ... • 高選擇性; 等向性蝕刻. 物理蝕刻. • 用鈍性離子如Ar+進行轟擊. • 從表面物理性地移 ... ,濕式蝕刻：利用化學的液體與物質進行化學反應。屬於等向性的蝕刻。常用的蝕刻方式有：. 浸入式：將板浸入蝕刻液中，用排筆輕輕刷掃。 泡沫式： ... ,2010年6月29日 — 溼式蝕刻有高的選擇性、高的蝕刻速率和低的設備成本。受到等向性蝕刻輪廓的限制，溼式子蝕刻無法應用在圖形尺寸小於3微米的圖案化蝕刻上。較先進的半導體廠 ... ,2022年5月31日 — 濕蝕刻本質上乃是一種等向性蝕刻(Isotropic etching)。等向性蝕刻意味著，濕蝕刻不但會在. 縱向進行蝕刻，而且也會有橫向的蝕刻效果。橫向蝕刻會導致 ... ,反應離子蝕刻中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。因此，RIE製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中 ...
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 等向性蝕刻 相關參考資料
乾蝕刻技術
在進行蝕刻時如果對每個方向(xyz) 的蝕刻速率都一樣則稱為等向性蝕刻. (isotropic etching) ，這種蝕刻線寬會變大而側壁(side wall) 呈弧形，稱額外. 被蝕刻的部份為切底( ... http://mems.mt.ntnu.edu.tw Ch9 Etching
▫ 自由基蝕刻純化學反應. ▫ 高選擇性; 等向性蝕刻. 物理蝕刻. ▫ 用鈍性離子如Ar+進行轟擊. ▫ 從表面物理性地移除物質. ▫ 非等向性輪廓; 低選擇性. ▫ 範例: Ar濺鍍蝕刻. http://homepage.ntu.edu.tw 蝕刻技術
▫ Isotropic (等向性):. ▫ Best to use with large geometries, when sidewall ... 以活性離子蝕刻. 為例，就是利用電漿放電方式進. 行異向性蝕刻的方法。 ▫ 在電 ... https://www.sharecourse.net 蝕刻技術(Etching Technology)www.tool-tool.com
2010年7月5日 — ... 蝕刻本質上乃是一種『等向性蝕刻』(isotropic etching)。等向性蝕刻意味著，濕蝕刻不但會在縱向進行蝕刻，而且也會有橫向的蝕刻效果。橫向蝕刻會導致 ... https://beeway.pixnet.net 蝕刻輪廓
可控制從非等向性到等向性. 蝕刻速率. 高. 尚可，且可控制. 選擇性. 高. 尚可，且 ... • 高選擇性; 等向性蝕刻. 物理蝕刻. • 用鈍性離子如Ar+進行轟擊. • 從表面物理性地移 ... http://homepage.ntu.edu.tw 蝕刻- 維基百科，自由的百科全書
濕式蝕刻：利用化學的液體與物質進行化學反應。屬於等向性的蝕刻。常用的蝕刻方式有：. 浸入式：將板浸入蝕刻液中，用排筆輕輕刷掃。 泡沫式： ... https://zh.wikipedia.org 什麼是蝕刻(Etching)？
2010年6月29日 — 溼式蝕刻有高的選擇性、高的蝕刻速率和低的設備成本。受到等向性蝕刻輪廓的限制，溼式子蝕刻無法應用在圖形尺寸小於3微米的圖案化蝕刻上。較先進的半導體廠 ... http://improvementplan.blogspo 儀器設備技術手冊與訓練教材金屬蝕刻系統
2022年5月31日 — 濕蝕刻本質上乃是一種等向性蝕刻(Isotropic etching)。等向性蝕刻意味著，濕蝕刻不但會在. 縱向進行蝕刻，而且也會有橫向的蝕刻效果。橫向蝕刻會導致 ... https://cmnst-cfc.ncku.edu.tw 感應耦合電漿蝕刻
反應離子蝕刻中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。因此，RIE製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中 ... https://www.syskey.com.tw |