空乏區寬度推導
電洞)。 其中,空乏區中的少數載子(P 型為電子,N 型為電洞)受到接面電場的 ... 上所遭受到的能量障壁越來越低;此一趨勢,隨著偏壓的增強,空乏區的寬度. 越來越 ... ,在順向偏壓電壓的外電場作用下,N區的電子與P區的電洞被推向PN接面。這降低了空乏區的空乏寬度。這降低了PN接面的電位差(即內在電場)。隨著順向電壓的 ... ,靠近接面的區域形成沒有可移動載子的區域,此區域稱為空乏區(depletion region)或空間電荷區(space-charge ... 空乏區的寬度會隨著順向電壓的上升而減少。 ,複電場及電位的計算可得,內建電位和空乏區寬度的三次方成正比。 一般而言,pn接面的接面電容 ... 電子學3-27. 中興物理孫允武. 理想pn接面二極體I-V方程式的推導. ,摻雜較輕者對空乏區寬度貢獻較大. 空乏區多分佈 ..... 複電場及電位的計算可得,內建電位和空乏區寬度的三次方成正比。 ... 理想pn接面二極體I-V方程式的推導. qVbi. ,A. 接面與空乏區(Junction and depletion region) p型半導體 n型半導體. 電洞 ... 空乏區(depletion region). 空間電荷區(space ... N. N. N x. +. = +. = +. = xd 空乏區寬度 ... , 在順向偏壓的時候,空乏區寬度會減小,根據空乏區寬度公式可推導。但實際上偏壓並不會完全作用在空乏區上,當順向偏壓超過內建電壓,部分電壓 ..., 若要增加擴散電流,一個方式是增加濃度差距,另一個方式是減少「距離」,距離我們可以視為空乏區的寬度,只要空乏區越窄,擴散電流就會越高。,在沒接外加偏壓時,兩個pn接面都會形成空乏區,將中性的p型區和n型. 區隔開。 .... 基極中性區的寬度W. B. 愈窄,電洞 ... 參考二極體方程式的推導過程. T. EB. V n ep. ,今天看電子學的時候想到以前老師講若在二極體接上順向或逆向偏壓則其空乏區亦隨之變小或變寬都覺得沒問題但是我看完課本的敘述後覺得空乏 ...
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P-N 接面二極體P-N Junction Diode
電洞)。 其中,空乏區中的少數載子(P 型為電子,N 型為電洞)受到接面電場的 ... 上所遭受到的能量障壁越來越低;此一趨勢,隨著偏壓的增強,空乏區的寬度. 越來越 ... http://www.taiwan921.lib.ntu.e PN接面- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia
在順向偏壓電壓的外電場作用下,N區的電子與P區的電洞被推向PN接面。這降低了空乏區的空乏寬度。這降低了PN接面的電位差(即內在電場)。隨著順向電壓的 ... https://zh.wikipedia.org pn接面二極體的動作原理
靠近接面的區域形成沒有可移動載子的區域,此區域稱為空乏區(depletion region)或空間電荷區(space-charge ... 空乏區的寬度會隨著順向電壓的上升而減少。 http://pub.tust.edu.tw pn接面二極體的電流電壓特性
複電場及電位的計算可得,內建電位和空乏區寬度的三次方成正比。 一般而言,pn接面的接面電容 ... 電子學3-27. 中興物理孫允武. 理想pn接面二極體I-V方程式的推導. http://ezphysics.nchu.edu.tw 三、二極體原理及電路模型
摻雜較輕者對空乏區寬度貢獻較大. 空乏區多分佈 ..... 複電場及電位的計算可得,內建電位和空乏區寬度的三次方成正比。 ... 理想pn接面二極體I-V方程式的推導. qVbi. http://140.120.11.1 二極體原理
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若要增加擴散電流,一個方式是增加濃度差距,另一個方式是減少「距離」,距離我們可以視為空乏區的寬度,只要空乏區越窄,擴散電流就會越高。 http://highscope.ch.ntu.edu.tw 雙載體電晶體的結構與操作原理
在沒接外加偏壓時,兩個pn接面都會形成空乏區,將中性的p型區和n型. 區隔開。 .... 基極中性區的寬度W. B. 愈窄,電洞 ... 參考二極體方程式的推導過程. T. EB. V n ep. http://140.120.11.1 高中物理教材內容討論:二極體的空乏區寬度 - 國立臺灣師範大學物理學系
今天看電子學的時候想到以前老師講若在二極體接上順向或逆向偏壓則其空乏區亦隨之變小或變寬都覺得沒問題但是我看完課本的敘述後覺得空乏 ... http://www.phy.ntnu.edu.tw |