硼擴散溫度
在IC製造的先期，氧化及擴散是其製程. 的基幹 ... 溫度控制. • 加熱製程對溫度是十分敏感的. • 精準的溫度控制是必要的. • ±0 5 °C at central zone ... 硼擴散至矽基底. ,溫度. 加熱線圈. 石英. 爐管. 氣流. 晶圓. Horizontal Furnace. 中心區域±0.5 °C. 1000 °C ±0.05%! ... 擴散阻擋層、離子植入屏蔽氧化層…等. 10 ... 硼擴散進入矽基材. ,在25 º C 的溫度，鍺及矽的共價. 鍵因熱能而部分崩解，使 ... 驗證矽半導體的擴散係數. Dn = 擴散係數 ... 的擴散移動方向受溫度影響，具. 有從高溫區域往低溫區域 ... ,移動電流與擴散電流. 多出載子的傳導 ... 在溫度300K，矽的單位立方晶格的邊長a（稱為晶格常數，lattice constant） ... 開了硼原子附近，便形成一個能夠導電的. ,硼(B)和磷(P)在二氧化矽的擴散速率比在矽的擴散. 速率來的低 ... 較厚的氧化層, LOCOS氧化層. ▫ 乾氧氧化有較好的品質. 製程. 溫度. 薄膜厚度 ... 硼擴散到矽基片 ... ,佈植之技術將硼離子植入多晶矽作為感測材料，溫度感測器植入硼離. 子濃度5×10 ... 晶矽薄膜欲進行掺雜時，可以採用擴散法(diffusion)和離子佈植法(Ion. ,B2H6 2 B + 3 H2. 氫化硼 硼 氫. 矽烷製程的溫度與晶體結構. T<550 °C. 非晶矽. T > 900 °C. 單晶矽. 550 °C <T< 900 °C. 多晶矽. 晶粒. 晶界. 圖3.4 三種形式的擴散 ... ,硬烤(烤箱以125℃烤20分鐘) p 型井，硼的擴散會因為比較多次的熱處理，使硼擴散到 ... 另一個是高劑量植入，損傷的晶圓表面因溫度增加而形成類似回火的現象， ... ,1. 第五章熱製程. 2. 水平式爐管. 中心帶區. 平坦帶區. 距離. 溫度. 加熱線圈. 石英. 爐管. 氣流 ... 場氧化層(field oxide;絕緣); 擴散,遮蔽,氧化層 ... 硼擴散進入矽基材. 16.
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5 Thermal Processes
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1. 第五章熱製程. 2. 水平式爐管. 中心帶區. 平坦帶區. 距離. 溫度. 加熱線圈. 石英. 爐管. 氣流 ... 場氧化層(field oxide;絕緣); 擴散,遮蔽,氧化層 ... 硼擴散進入矽基材. 16. http://homepage.ntu.edu.tw |