直接能隙英文

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直接能隙英文 相關參考資料
direct bandgap - 直接能隙 - 國家教育研究院雙語詞彙

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direct gap semiconductor - 直接間隙半導體 - 國家教育研究院雙語詞彙

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direct-gap semiconductor - 直接能隙半導體 - 國家教育研究院雙語詞彙

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indirect gap semicondutor - 間接能隙半導體 - 國家教育研究院雙語詞彙

出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電力工程 ... 以間接能隙半導體 進行詞彙精確檢索結果. 出處/學術領域, 中文詞彙, 英文詞彙. 學術名詞 電力工程

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氮化鎵- 维基百科,自由的百科全书

氮化鎵(GaN、Gallium nitride)是氮和鎵的化合物,是一種III族和V族的直接能隙(direct bandgap) ... 能隙, 3.4 eV(300 K, direct) eV ... 英文)Ioffe data archive ...

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直接帶隙半導體- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia

如果半導體材料中導帶和價帶中的電子和空穴的動能相同的話,則該半導體可以稱之為直接帶隙半導體。其導帶最小值(導帶底)和滿帶最大值在k空間中同一位置, ...

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直接能隙的英文_直接能隙翻譯_直接能隙英語怎麼說_海詞詞典

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砷化鎵- 维基百科,自由的百科全书

砷化鎵(化學式:GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物,也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体 ... 能隙, 1.424 eV300 K. 电子迁移率 ... 砷化镓天然存量稀少,通常采用镓和砷直接化合的方法,其中水平区域熔炼法是普遍采用的方法。通过区域提纯便 ...

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