直接半導體
半导体（英語：Semiconductor）是一种電導率在绝缘体至导体之间的物质。電導率容易受控制的 .... 對於直接能隙半導體而言，電子從導帶落至價帶時，能量的釋放不必牽涉到動量守衡，故全部以光子的形式釋放能量。 半導體材料的導電帶底部和價電帶 ... ,品的一部份；半導體還可以作成許多元件，例如：電視遙控器上的發光二極體、雷射印表. 機內的雷射二極體及 ... 與不發光的兩. 種，又稱為直接能隙（direct band gap）與. ,最近因研跨領域需要在研讀光電半導體相關知識如PVCDROM的網頁 ... Q0能階本身就是不連續的是動量相同的能階間轉換才為直接能隙麼? ,直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和价带最大值（价带顶）在k空间中处于同一位置的半导体。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只 ... ,一般而言我们希望获得的是直接还是间接带隙的半导体？我最近在做二维原子晶体材料，假如能结合这个方向说… ,如果半導體材料中導帶和價帶中的電子和空穴的動能相同的話，則該半導體可以稱之為直接帶隙半導體。其導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中同一位置， ... ,Si和Ge是間接帶隙半導體，GaAs和InAs是直接帶隙半導體. 如果半導體材料中導帶和價帶中的電子和空穴的動能相同的話，則該半導體可以稱之為直接帶隙半導體。 ,直接帶隙（英語：Direct band gaps）是指半導體材料的導帶底的極小值和價帶頂的極大值在k空間內對應同一個k值的能帶結構，具有這種結構的半導體稱為直接躍遷型 ... ,直接帶隙（英語：Direct band gaps）是指半導體材料的導帶底的極小值和價帶頂的極大值在k空間內對應同一個k值的能帶結構，具有這種結構的半導體稱為直接躍遷型 ... ,间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和价带最大值在k空间中不同位置。 ... 与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。
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 直接半導體 相關參考資料
半导体- 维基百科，自由的百科全书
半导体（英語：Semiconductor）是一种電導率在绝缘体至导体之间的物质。電導率容易受控制的 .... 對於直接能隙半導體而言，電子從導帶落至價帶時，能量的釋放不必牽涉到動量守衡，故全部以光子的形式釋放能量。 半導體材料的導電帶底部和價電帶 ... https://zh.wikipedia.org 半導體發光原理 - 國立臺灣科學教育館
品的一部份；半導體還可以作成許多元件，例如：電視遙控器上的發光二極體、雷射印表. 機內的雷射二極體及 ... 與不發光的兩. 種，又稱為直接能隙（direct band gap）與. https://www.ntsec.gov.tw 大學物理相關內容討論:半導體的直接能隙與間接能隙 - 國立臺灣師範大學 ...
最近因研跨領域需要在研讀光電半導體相關知識如PVCDROM的網頁 ... Q0能階本身就是不連續的是動量相同的能階間轉換才為直接能隙麼? http://www.phy.ntnu.edu.tw 直接带隙半导体_百度百科
直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和价带最大值（价带顶）在k空间中处于同一位置的半导体。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只 ... https://baike.baidu.com 直接带隙和间接带隙有什么区别？ - 知乎
一般而言我们希望获得的是直接还是间接带隙的半导体？我最近在做二维原子晶体材料，假如能结合这个方向说… https://www.zhihu.com 直接帶隙半導體- Wikiwand
如果半導體材料中導帶和價帶中的電子和空穴的動能相同的話，則該半導體可以稱之為直接帶隙半導體。其導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中同一位置， ... https://www.wikiwand.com 直接帶隙半導體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
Si和Ge是間接帶隙半導體，GaAs和InAs是直接帶隙半導體. 如果半導體材料中導帶和價帶中的電子和空穴的動能相同的話，則該半導體可以稱之為直接帶隙半導體。 https://zh.wikipedia.org 直接帶隙和間接帶隙- Wikiwand
直接帶隙（英語：Direct band gaps）是指半導體材料的導帶底的極小值和價帶頂的極大值在k空間內對應同一個k值的能帶結構，具有這種結構的半導體稱為直接躍遷型 ... https://www.wikiwand.com 直接帶隙和間接帶隙- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
直接帶隙（英語：Direct band gaps）是指半導體材料的導帶底的極小值和價帶頂的極大值在k空間內對應同一個k值的能帶結構，具有這種結構的半導體稱為直接躍遷型 ... https://zh.wikipedia.org 间接带隙半导体_百度百科
间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和价带最大值在k空间中不同位置。 ... 与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。 https://baike.baidu.com |