爐管 擴散
8吋、12吋高溫氧化／擴散系統(Oxidation System). ○主要規格：. Wafer Size :12吋以下晶圓. Temperature:100 ~ 1100℃. ○服務項目：. 1.Wet Oxide. 2.Dry Oxide. ,在IC製造的先期，氧化及擴散是其製程. 的基幹. 5 ... 常被稱為擴散爐(diffusion furnace). ( ff f. ) • 石英管 ... 爐管及反應室；晶圓裝載系統和排放系統所組. 成. • 垂直室 ... ,爐管. 氣流. 晶圓. Horizontal Furnace. 中心區域±0.5 °C. 1000 °C ±0.05%!. Page 3. 3. 5. Vertical Furnace 垂直式爐管 ... 擴散阻擋層、離子植入屏蔽氧化層…等. 10. ,水平擴散爐1200 系列. 爐管尺寸: 6"~12". 單管. 雙管. 三管. 四管. 自動爐管- 1200 A系列. 4 管自動. PLC介面4管自動爐. Model : 1200A-4-03 ... ,硼(B)和磷(P)在二氧化矽的擴散速率比在矽的擴散 ... 二氧化矽可做為擴散遮蔽 ... 吹除淨化氮氣. O. 2. POCl. 3. MFC. 洗滌室. 排氣. 製程爐管. 晶圓. 燃燒室. 磷擴散系統 ... ,我有興趣. 擴散爐管. 用途. 磷擴散. 硼擴散. 退火製程. 濕氧化. 特性. 全自動化整合. 高產出. 各管獨立作業. 規格. 磷擴散. 製程時間- 75 分鐘 產能- 1600 w/hr 正常運作 ... ,爐管預約使用以四個小時為一個區段，可適用的爐管為Wet Oxidation、P+ Annealing 、N+ Annealing、Dry Oxidation等爐管。 (2).每個爐管其預約製程使用時間 ... ,垂直式爐管. 製程反應室. 晶圓. 塔架. 加熱器. 支撐與旋. 轉系統. • 乾氧化, 薄氧化層. – 閘極氧化層; 屏蔽氧化層. • 濕氧化, 厚氧化層. – 場氧化層(field oxide;絕緣); 擴散, ... ,擴散爐所應用的領域包含，二極體，LED，太陽能，IC，DRAM，晶圓代工，學術機構研發單位及 ... 可供應新品及各大品牌水平、垂直爐管之維修(OVERHAUL)。 ,SVCS的常壓式擴散爐管設計上結合多個製程生產能力與滿載生產系統(SVaFUR-FP). 的需求, 及為了小型研究及試產(SVaFUR-RD)所需的彈性, 系統提供一個安全又 ...
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