無氮抗反射層
本发明提供一种无氮介质抗反射层的离线检测方法，包括在半导体衬底的表面沉积一层非晶碳薄膜，使得半导体衬底表面的光学性质和无氮介质抗反射层的光学性质不相同； ... ,... 停止層上之一低介電常數介電層、位於低介電常數介電層上之一介電質硬罩幕層、位於介電質硬罩幕層上之一無氮抗反射層、以及位於無氮抗反射層上之一金屬硬罩幕層。 ,2013年9月26日 — 本专利技术资料提供一种无氮介质抗反射层的离线检测方法，包括在半导体衬底的表面沉积一层非晶碳薄膜，使得半导体衬底表面的光学性质和无氮介质抗反射 ... ,硬質罩幕層之厚度，得到一性質極佳的底抗反射層，可以將來自底材的反射率降低至1% 以 ... 此外，本抗反射層可適用於金屬連結製程中鋁、銅、鎢、. 氮化鈦及氮化鉭等高度 ... ,为了提高曝光系统分辨率的性能，通常采用的一种方式是在形成曝光光刻胶之前，先在晶圆的表面覆盖一层介质抗反射层(DARC, Dielectric Anti-ReflectionCoating)，如氮氧化硅( ... ,2019年9月9日 — 傳統太陽能電池有使用氧化鈦、氧化鋁或是氮化矽作為抗反射層。然而，前者缺點是其折射率過大，而造成入射光無法有效利用，且較差的鈍化效果也會使電子 ... ,氮化矽經證實具有降低光的反射損失，同時可以對基材與. 表面進行鈍化來提升電池效率[5]。 抗反射層的效果與材料的厚度及折射係數有關。當入射光通過抗反射層表面. 時，有穿 ... ,積體電路製程之物質,如氮化矽、碳氧化矽、氧化膜. (oxidized films;OX)及無氮之覆蓋物質。抗反射層50. 幫助降低於光學微影圖形成形製程中,介電層40 反射至光. ,由 洪國軒 著作 · 2011 — Plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)生長抗反射薄膜，常用的薄. 膜如二氧化矽(SiO2)與氮化矽(SiNx)，並且照不同材料的折射率決定厚度為四分. 之一入射波長 ... ,由 邱于凡 著作 · 2010 — 其. 中最佳的次波長抗反射結構為利用二氧化矽奈米球為遮罩進行蝕刻，其結. 構高度為165 nm、底部SiNX 厚度為90 nm，並使得波長300~1000 nm 的入. 射光之有效反射率下降到 ...
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