濺鍍靶材製程
2021年12月22日 — 目前製作靶材所用的靶胚之SPD的製程有徑向鍛造(Radial Forging)、軋延(Roll Forming)、等通道轉角擠型(ECAE)，其中ECAE的晶粒細化程度最高，平均可達5μm。 ,光洋製作的半導體等級濺鍍靶材，供應半導體晶圓製程、凸塊製程以及封裝製程使用，通過國際大廠驗證，具有高純度、高精細的特性。,當製程腔體通入Ar氣時，於靶材表面及基板間施加一高電壓，此一高壓將Ar氣體游離為Ar+離子，此時Ar+離子被加速至陰極撞擊靶材，靶材原子及二次電子被擊出，前者到達基板表面進行 ... ,本發明之濺鍍靶材亦可如下製造而得：將氧化鋁燒結體以1250~1350℃實施熱壓燒結後，於大氣中實施1300~1700℃之退火處理而得。使用熱壓燒結時，一般來說是將與目的燒結體同等純度 ... ,濺鍍靶材 · 使用長年累積之精煉技術所提煉出的高純度金屬原料。 · 單一金屬成分及合金金屬成分皆可製作。 · 藉由調整靶材鑄造時的結晶微細程度，造就濺鍍後之鍍膜高均勻性。 ,濺射鍍膜系統是在高真空環境中充入工作氣體(一般為氬氣)，藉由兩個相對應的金屬板(陽極板和陰極板)，施加電壓產生電漿，電漿中的正離子被陰極板的負電壓吸引加速，具有高 ...,2024年4月24日 — 利用氬電漿(一團氬離子與電子)撞擊靶材，將靶材的原子撞出來的技術稱為「濺鍍(Sputtering)」。 這是在晶圓廠裡面常見的一種薄膜成長技術，不論成熟製程或 ... ,於一密閉製程真空腔體內部通入Argon惰性氣體，於靶材表面及基板間施加一高電壓，此一高電壓將Argon氣體游離為Argon正離子(Ar+)，此時Argon正離子(Ar+)被加速至陰極撞擊靶材 ... ,靶材(target)是薄膜濺鍍製程的主要材料，通常用高純度化合物或純金屬製成。 隨著電子產品趨向輕薄化，傳統電鍍製程需必須用較厚的膜層才能取得鍍膜的均勻性，但薄膜濺鍍 ... ,在濺鍍的製程上，電漿的產生是不可或缺的，由於電漿的作用下，製程得以進行。電漿的產生是在真空下，藉由施加高偏壓於金屬板，此為陰極，而相對此電極包括桶身皆為陽極，通入 ...
| 相關軟體 Iridium 資訊 | |
|---|---|
 濺鍍靶材製程 相關參考資料
半導體晶圓用濺鍍靶材-沒有它...晶圓產業應該可以收工了!
2021年12月22日 — 目前製作靶材所用的靶胚之SPD的製程有徑向鍛造(Radial Forging)、軋延(Roll Forming)、等通道轉角擠型(ECAE)，其中ECAE的晶粒細化程度最高，平均可達5μm。 https://vocus.cc 濺鍍靶材
光洋製作的半導體等級濺鍍靶材，供應半導體晶圓製程、凸塊製程以及封裝製程使用，通過國際大廠驗證，具有高純度、高精細的特性。 https://www.solartech.com.tw 濺鍍製程 - 應用物理學系- 高雄大學
當製程腔體通入Ar氣時，於靶材表面及基板間施加一高電壓，此一高壓將Ar氣體游離為Ar+離子，此時Ar+離子被加速至陰極撞擊靶材，靶材原子及二次電子被擊出，前者到達基板表面進行 ... https://ap.nuk.edu.tw TW201319286A - 濺鍍靶材及其製造方法
本發明之濺鍍靶材亦可如下製造而得：將氧化鋁燒結體以1250~1350℃實施熱壓燒結後，於大氣中實施1300~1700℃之退火處理而得。使用熱壓燒結時，一般來說是將與目的燒結體同等純度 ... https://patents.google.com 半導體・電子零件用濺鍍靶材
濺鍍靶材 · 使用長年累積之精煉技術所提煉出的高純度金屬原料。 · 單一金屬成分及合金金屬成分皆可製作。 · 藉由調整靶材鑄造時的結晶微細程度，造就濺鍍後之鍍膜高均勻性。 https://service.matsuda-sangyo 濺鍍靶材-Sputtering targets - 產品介紹
濺射鍍膜系統是在高真空環境中充入工作氣體(一般為氬氣)，藉由兩個相對應的金屬板(陽極板和陰極板)，施加電壓產生電漿，電漿中的正離子被陰極板的負電壓吸引加速，具有高 ... https://www.sunda-optical.com. 台灣博曼有限公司-濺鍍與靶材
2024年4月24日 — 利用氬電漿(一團氬離子與電子)撞擊靶材，將靶材的原子撞出來的技術稱為「濺鍍(Sputtering)」。 這是在晶圓廠裡面常見的一種薄膜成長技術，不論成熟製程或 ... https://www.bowman.com.tw 技術與能力
於一密閉製程真空腔體內部通入Argon惰性氣體，於靶材表面及基板間施加一高電壓，此一高電壓將Argon氣體游離為Argon正離子(Ar+)，此時Argon正離子(Ar+)被加速至陰極撞擊靶材 ... https://www.uvat.com 靶材(target)是薄膜濺鍍製程的主要材料
靶材(target)是薄膜濺鍍製程的主要材料，通常用高純度化合物或純金屬製成。 隨著電子產品趨向輕薄化，傳統電鍍製程需必須用較厚的膜層才能取得鍍膜的均勻性，但薄膜濺鍍 ... http://www.gpic.com.tw 濺鍍(Sputtering)原理- 大永真空設備股份有限公司
在濺鍍的製程上，電漿的產生是不可或缺的，由於電漿的作用下，製程得以進行。電漿的產生是在真空下，藉由施加高偏壓於金屬板，此為陰極，而相對此電極包括桶身皆為陽極，通入 ... https://zh-tw.dahyoung.com |