濺鍍靶材製作方法
本發明之濺鍍靶材亦可如下製造而得：將氧化鋁燒結體以1250~1350℃實施熱壓燒結後，於大氣中實施1300~1700℃之退火處理而得。 使用熱壓燒結時，一般來說是將與目的燒結體同等純度之粉末原料裝填至碳製之模型內，在真空或氮、氬等非氧化性氣氛中，於單軸方向加壓燒結。 ,一種濺鍍靶材,其使用氧化鋁燒結體,該氧化鋁燒結體在質量%下之純度為99.99%以上,相對. 密度為98%以上,且平均結晶粒徑未滿5um;或者是,在質量%下之純度為99.999%以上, ... ,也就是說，該濺鍍靶材之製造方法當中，是將由純Cu粉末和Cu-Ga合金粉末之混合粉末構成之成形體，於還原性環境中加熱而常壓燒結，故燒成中從各自之原料粉會發生相互擴散，藉此會 ... ,透過真空溶解的除氣、藉由急冷快速凝固製造的細微粉末以及真空加壓燒結，這些製程所製造的靶材之組成分布極具均質性，不易產生顆粒，可發揮出極高的效能。 藉由真空溶解技術來 ... ,無針孔、氧化物、氣體等缺陷的靶材 · 藉由超音波探傷檢查背板間接合狀態以確保品質 · 貴金屬高純度蒸鍍材可加工成顆粒狀、塊狀、棒狀、線狀等形狀 · 自設備、治具洗淨中回收的 ... ,主要有真空感應熔煉、真空電弧熔煉、真空電子束熔煉等方法，通過機械加工將熔煉後的鑄錠製備成靶材，該方法得到的靶材雜質含量低、密度高、可大型化、內部無氣孔，. 粉末冶金 ... ,濺鍍靶材 · 使用長年累積之精煉技術所提煉出的高純度金屬原料。 · 單一金屬成分及合金金屬成分皆可製作。 · 藉由調整靶材鑄造時的結晶微細程度，造就濺鍍後之鍍膜高均勻性。 ,於一密閉製程真空腔體內部通入Argon惰性氣體，於靶材表面及基板間施加一高電壓，此一高電壓將Argon氣體游離為Argon正離子(Ar+)，此時Argon正離子(Ar+)被加速至陰極撞擊靶材 ... ,特別是鋁靶材在精煉、鑄造過程中採用真空溶解法，可以使Particle發生的其中一個原因的氧氣等氣體成分降低。大多數的半導體靶材，包括ULVAC的高純度鈷（CO）靶材和鈦靶材（Ti），都 ... ,2024年4月24日 — 所謂的「靶材(Target)」其實就是一塊純度很高的金屬或非金屬材料。 利用氬電漿(一團氬離子與電子)撞擊靶材，將靶材的原子撞出來的技術稱為「濺 ...
| 相關軟體 Iridium 資訊 | |
|---|---|
 濺鍍靶材製作方法 相關參考資料
TW201319286A - 濺鍍靶材及其製造方法 - Google Patents
本發明之濺鍍靶材亦可如下製造而得：將氧化鋁燒結體以1250~1350℃實施熱壓燒結後，於大氣中實施1300~1700℃之退火處理而得。 使用熱壓燒結時，一般來說是將與目的燒結體同等純度之粉末原料裝填至碳製之模型內，在真空或氮、氬等非氧化性氣氛中，於單軸方向加壓燒結。 https://patents.google.com 濺鍍靶材及其製造方法
一種濺鍍靶材,其使用氧化鋁燒結體,該氧化鋁燒結體在質量%下之純度為99.99%以上,相對. 密度為98%以上,且平均結晶粒徑未滿5um;或者是,在質量%下之純度為99.999%以上, ... https://patentimages.storage.g TW201514328A - 濺鍍靶材及其製造方法
也就是說，該濺鍍靶材之製造方法當中，是將由純Cu粉末和Cu-Ga合金粉末之混合粉末構成之成形體，於還原性環境中加熱而常壓燒結，故燒成中從各自之原料粉會發生相互擴散，藉此會 ... https://patents.google.com 燒結法製造的濺鍍靶材｜田中貴金屬集團
透過真空溶解的除氣、藉由急冷快速凝固製造的細微粉末以及真空加壓燒結，這些製程所製造的靶材之組成分布極具均質性，不易產生顆粒，可發揮出極高的效能。 藉由真空溶解技術來 ... https://tanaka-preciousmetals. 熔融法製造的濺鍍靶材和真空蒸鍍材｜田中貴金屬集團
無針孔、氧化物、氣體等缺陷的靶材 · 藉由超音波探傷檢查背板間接合狀態以確保品質 · 貴金屬高純度蒸鍍材可加工成顆粒狀、塊狀、棒狀、線狀等形狀 · 自設備、治具洗淨中回收的 ... https://tanaka-preciousmetals. 金屬濺鍍靶材
主要有真空感應熔煉、真空電弧熔煉、真空電子束熔煉等方法，通過機械加工將熔煉後的鑄錠製備成靶材，該方法得到的靶材雜質含量低、密度高、可大型化、內部無氣孔，. 粉末冶金 ... https://www.esoar.net 半導體・電子零件用濺鍍靶材
濺鍍靶材 · 使用長年累積之精煉技術所提煉出的高純度金屬原料。 · 單一金屬成分及合金金屬成分皆可製作。 · 藉由調整靶材鑄造時的結晶微細程度，造就濺鍍後之鍍膜高均勻性。 https://service.matsuda-sangyo 技術與能力
於一密閉製程真空腔體內部通入Argon惰性氣體，於靶材表面及基板間施加一高電壓，此一高電壓將Argon氣體游離為Argon正離子(Ar+)，此時Argon正離子(Ar+)被加速至陰極撞擊靶材 ... https://www.uvat.com 半導體製造平面濺鍍靶材
特別是鋁靶材在精煉、鑄造過程中採用真空溶解法，可以使Particle發生的其中一個原因的氧氣等氣體成分降低。大多數的半導體靶材，包括ULVAC的高純度鈷（CO）靶材和鈦靶材（Ti），都 ... https://www.ulvac.com.tw 台灣博曼有限公司-濺鍍與靶材
2024年4月24日 — 所謂的「靶材(Target)」其實就是一塊純度很高的金屬或非金屬材料。 利用氬電漿(一團氬離子與電子)撞擊靶材，將靶材的原子撞出來的技術稱為「濺 ... https://www.bowman.com.tw |