氮化鉭
鎵基板上以不同的Ar/N2 分壓比例濺鍍鉭靶或氮化鉭靶成長鉭基氮. 化物阻礙層，銅金屬以相同 ... 能有效提升耐熱溫度和壓抑銅金屬和砷化鎵間之擴散問題。其失效機. , ChemicalBook 为您提供氮化钽(12033-62-4)的化学性质，熔点，沸点，密度，分子式，分子量，物理性质，毒性，结构式，海关编码等信息，同时您还 ...,本研究目的在開發高阻值(≧3 kΩ)以及低TCR值(±25 ppm/℃)之薄膜電阻元件。實驗材料系統可分為氮化鉭(TaN)、共濺鍍氮化鉭與銅複合膜(TaN/Cu)以及氮化氧 ... ,Abstract: 本研究使用反應式射頻磁控(RF)濺鍍，來製備非晶氮化鉭(TaNx)薄膜，並選用(4N)鉭靶材，在固定氬氣(Ar)流量的氣氛下，通入不同流量比例的氮氣(N2)，探討 ... ,中文名稱氮化鉭EINECS號234-788-4CAS號12033-62-4MDL號MFCD00049568. ,ε氮化钽为黑色六方结晶。相对密度13.4；熔点3090℃；显微硬度1100kg/m2；热导率9.54W/(m·K)，电阻率128μΩ·cm。δ氮化钽为黄绿色结晶，属氯化钠型结晶，相对 ... ,本論文主要探討濺鍍法沉積之氮化鉭(TaN)作為銅(Cu)和具有低介電係數的參雜氟二氧化矽(SiOF)之間的擴散障礙層，於氮氣中熱處理30分鐘之熱穩定性。參雜氟二 ... ,本研究首要目標在製作氮化鉭薄膜並探討其材料特性，以將其應用做為銅-介電層間之擴散阻障層。利用不同的氮氣流量、基板偏壓大小等參數的變化濺鍍Ta-N薄膜 ... ,氮化钽（Tantalum mononitride）是一种化工材料，分子式为TaN，分子量为194.95。用来制造精确片状电阻的材料，氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。 在制造集成电路 ... ,鉭（Tantalum，舊譯作鐽）是一種化學元素，符號為Ta，原子序為73。其名稱「Tantalum」取自希臘 .... 氮化鉭(III)在某些微電子生產過程中被用作薄膜絕緣體。美國洛斯 ...
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本研究目的在開發高阻值(≧3 kΩ)以及低TCR值(±25 ppm/℃)之薄膜電阻元件。實驗材料系統可分為氮化鉭(TaN)、共濺鍍氮化鉭與銅複合膜(TaN/Cu)以及氮化氧 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 氮氣流量對非晶氮化鉭應用於擴散阻絕層與擴散係數之影響研究
Abstract: 本研究使用反應式射頻磁控(RF)濺鍍，來製備非晶氮化鉭(TaNx)薄膜，並選用(4N)鉭靶材，在固定氬氣(Ar)流量的氣氛下，通入不同流量比例的氮氣(N2)，探討 ... https://ir.lib.ntut.edu.tw 氮化鉭： -華人百科
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本論文主要探討濺鍍法沉積之氮化鉭(TaN)作為銅(Cu)和具有低介電係數的參雜氟二氧化矽(SiOF)之間的擴散障礙層，於氮氣中熱處理30分鐘之熱穩定性。參雜氟二 ... https://ir.nctu.edu.tw 氮化鉭擴散阻障層之製備與特性研究__臺灣博碩士論文知識加值系統
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