氮化鈦蝕刻
例如，美国专利5948702教导了从W/TiN栅极结构去除氮化钛薄膜的干法蚀刻方法，使用远程等离子体激发包含氧气和氟如C^6和02的源气体混合物，并公开了氮化钛 ... ,Endura Cirrus HTX TiN 具備革命性的物理氣相沉積(PVD) 氮化鈦(TiN) 薄膜技術， ... 因此，在建立電路(或導電層) 時，用來界定進行蝕刻和金屬化所需圖案的材料是否 ... ,論文名稱: 使用感應式耦合電漿反應式離子蝕刻系統蝕刻氮化矽與氮化鈦:選擇比研究與SC1溶液對氮化鈦溼蝕刻速率研究. 論文名稱(外文):, Etching of SixNy and TiN ... ,本研究是探討利用直流濺射鍍膜系統製備氮化鈦薄膜在矽基板. 上，其製程參數僅 ... 關鍵字:物理氣相沈積，氮化鈦薄膜，直流濺鍍系統，鼓膜隔艙壓力. 測詴法，位置感 ... 化和氧化膜的效果，同時可將吸附在表面的微粒，及底膜表面經蝕刻. 的部分去除， ... ,近年來氮化鈦已經使用在雙硬遮罩雙鑲嵌銅導線製程中(dual-hardmask dual damascene patterning)的金屬硬遮罩，此結構可以有效的減少低介電常數介電層在去光 ... ,關鍵字: 氮化鈦薄膜;次微米;微影成像;抗反射層;擴散障礙;蝕刻混合氣體;駐波效應;刻痕效應. 公開日期: 1990. 摘要: 次微米光學微影成像製程中, 在強裂光反射基材特別 ... ,氮化鈦，化學式TiN，是一種合成陶瓷材料，極堅硬，其硬度接近於金剛石。通常用作鈦合金，鋼，硬質合金和鋁結構的塗層以改善表面性質。作為薄塗層，氮化鈦用於 ... ,實驗結果顯示，鹼性過氧化氫水溶液為蝕刻主要因子，並由此研究提供最佳之溶. 液組成配方，以達到去除氮化鈦薄膜之應用，且在不損傷基材表面㆘完成。 關鍵詞：氮化 ... ,氮化鈦. • 阻擋層. – 防止鎢擴散. 附著層. • 附著層. – 幫助鎢附著在氧化矽表面 ... 氮離子和鈦反應形成氮化鈦沉積在鈦的表面 ... 在量測前需要執行圖案化蝕刻製程.
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CN100378911C - 氮化钛去除方法- Google Patents
例如，美国专利5948702教导了从W/TiN栅极结构去除氮化钛薄膜的干法蚀刻方法，使用远程等离子体激发包含氧气和氟如C^6和02的源气体混合物，并公开了氮化钛 ... https://patents.google.com Endura® Cirrus™ HTX PVD - Applied Materials
Endura Cirrus HTX TiN 具備革命性的物理氣相沉積(PVD) 氮化鈦(TiN) 薄膜技術， ... 因此，在建立電路(或導電層) 時，用來界定進行蝕刻和金屬化所需圖案的材料是否 ... http://www.appliedmaterials.co 博碩士論文行動網
論文名稱: 使用感應式耦合電漿反應式離子蝕刻系統蝕刻氮化矽與氮化鈦:選擇比研究與SC1溶液對氮化鈦溼蝕刻速率研究. 論文名稱(外文):, Etching of SixNy and TiN ... https://ndltd.ncl.edu.tw 國立中興大學精密工程學研究所碩士學位論文以鼓膜隔艙壓力 ...
本研究是探討利用直流濺射鍍膜系統製備氮化鈦薄膜在矽基板. 上，其製程參數僅 ... 關鍵字:物理氣相沈積，氮化鈦薄膜，直流濺鍍系統，鼓膜隔艙壓力. 測詴法，位置感 ... 化和氧化膜的效果，同時可將吸附在表面的微粒，及底膜表面經蝕刻. 的部分去除， ... http://ir.lib.nchu.edu.tw 國立交通大學機構典藏：含氟氣體蝕刻二氧化鈦之研究
近年來氮化鈦已經使用在雙硬遮罩雙鑲嵌銅導線製程中(dual-hardmask dual damascene patterning)的金屬硬遮罩，此結構可以有效的減少低介電常數介電層在去光 ... https://ir.nctu.edu.tw 國立交通大學機構典藏：氮化鈦薄膜做為次微米微影成像抗反射 ...
關鍵字: 氮化鈦薄膜;次微米;微影成像;抗反射層;擴散障礙;蝕刻混合氣體;駐波效應;刻痕效應. 公開日期: 1990. 摘要: 次微米光學微影成像製程中, 在強裂光反射基材特別 ... https://ir.nctu.edu.tw 氮化鈦- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
氮化鈦，化學式TiN，是一種合成陶瓷材料，極堅硬，其硬度接近於金剛石。通常用作鈦合金，鋼，硬質合金和鋁結構的塗層以改善表面性質。作為薄塗層，氮化鈦用於 ... https://zh.wikipedia.org 氮化鈦陶瓷硬質薄膜化學退鍍之特性研究
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