氮化矽介電常數

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氮化矽介電常數

STI: 淺溝槽絕緣;. LDD: 低摻雜汲極;. ILD:金屬層間介電質層. 氧化矽. 氮化矽. USG. W. P型晶圓 ... PECVD. SiH4, N2O. 介電質. PECVD Si(OC2H5)4 (TEOS), O2. LPCVD. TEOS. APCVD&SACVDTM .... 低介電常數, κ = 3.9. 較高介電常數, κ = 7.0. ,1-1 氮化矽. Si3N4 是一種介電常數較高(約為7 左右)且硬度強、緻密的介電材. 料,它在IC 晶片上被廣泛地用來當作擴散阻擋層。在矽的局部氧化形. 成製程中就用它做 ... ,本論文介紹一種新的方法來成長高品質的氮化矽閘超薄氧化層,我們先利用化學氣 ... 當氧化的時間越長時,氮化矽的介電常數會下降(K = 4.4~4.7, 比純二氧化矽略高) ... ,極漏電流的遽增,使用高介電常數材料取代傳統二氧化矽以抑制閘極漏電流的方. 式被廣泛的 ... 數介電層間使用氮化矽可有效抑制負偏壓溫度不穩定性的現象。負偏壓 ... ,,氮化矽陶瓷的常見應用為半導體加工設備,一般工業機械,耐熱零件。 氮化矽是一種重要的結構陶瓷材料。 ... Ω·cm, > 10^14. 介電常數, -, 8.20. 介電強度, kV/mm, 16 ... ,Silicon Nitride Si. ... 衝擊及撞擊皆具有高度抗性。卓越的耐熱性及抗衝擊性加之高強度,使得氮化矽成為高溫、高負載應用之優先選擇。 ... 介電常數, 10GHz, 8.3. 介電 ... ,構中高介電常數的氧化層要擁有跟SiO2 相同的電容值,則這些高介電常數. 氧化層容許 ... 氧化矽和氮化矽到高介電係數介電質材料,如TiO2、HfO2、Al2O3 等。使用. ,氮化矽因為擁有一系列特別的物理化學、機械性質,使得它成為近代陶瓷的基本材料 ... 介電常數. 6.3-7.1. 微硬度, G Pa. -Si3N4. -Si3N4. 45.3. 34.8-35.8. 彈性係數 ... ,氮化矽. -. -. -. -. -. Si3N4. 《表12-1 陶瓷依原子排列方式分類及其成分、用途(續)》 ..... 極化,愈易引起極化的材料,其介電常數愈大,愈適合做成電容器的介質材料。 2.

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氮化矽介電常數 相關參考資料
Chemical Vapor Deposition and Dielectric

STI: 淺溝槽絕緣;. LDD: 低摻雜汲極;. ILD:金屬層間介電質層. 氧化矽. 氮化矽. USG. W. P型晶圓 ... PECVD. SiH4, N2O. 介電質. PECVD Si(OC2H5)4 (TEOS), O2. LPCVD. TEOS. APCVD&SACVDTM .... 低介電常數, κ = 3.9. 較高介電常數, κ = 7.0.

http://homepage.ntu.edu.tw

國立中山大學物理研究所碩士論文

1-1 氮化矽. Si3N4 是一種介電常數較高(約為7 左右)且硬度強、緻密的介電材. 料,它在IC 晶片上被廣泛地用來當作擴散阻擋層。在矽的局部氧化形. 成製程中就用它做 ...

http://etd.lib.nsysu.edu.tw

國立交通大學機構典藏:氮化矽閘極薄氧化層之研究

本論文介紹一種新的方法來成長高品質的氮化矽閘超薄氧化層,我們先利用化學氣 ... 當氧化的時間越長時,氮化矽的介電常數會下降(K = 4.4~4.7, 比純二氧化矽略高) ...

https://ir.nctu.edu.tw

國立高雄大學電機工程學系(研究所) 碩士論文

極漏電流的遽增,使用高介電常數材料取代傳統二氧化矽以抑制閘極漏電流的方. 式被廣泛的 ... 數介電層間使用氮化矽可有效抑制負偏壓溫度不穩定性的現象。負偏壓 ...

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氮化矽、氮氧化矽、二氧化矽 - Sillitronics - WordPress.com

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氮化矽的特性| 達陣科技股份有限公司 - Touch-Down

氮化矽陶瓷的常見應用為半導體加工設備,一般工業機械,耐熱零件。 氮化矽是一種重要的結構陶瓷材料。 ... Ω·cm, > 10^14. 介電常數, -, 8.20. 介電強度, kV/mm, 16 ...

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氮化矽陶瓷材料 - 台灣飛羅得股份有限公司

Silicon Nitride Si. ... 衝擊及撞擊皆具有高度抗性。卓越的耐熱性及抗衝擊性加之高強度,使得氮化矽成為高溫、高負載應用之優先選擇。 ... 介電常數, 10GHz, 8.3. 介電 ...

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薄膜沉積研究 - 義守大學

構中高介電常數的氧化層要擁有跟SiO2 相同的電容值,則這些高介電常數. 氧化層容許 ... 氧化矽和氮化矽到高介電係數介電質材料,如TiO2、HfO2、Al2O3 等。使用.

http://www2.isu.edu.tw

資料A 數字編號2

氮化矽因為擁有一系列特別的物理化學、機械性質,使得它成為近代陶瓷的基本材料 ... 介電常數. 6.3-7.1. 微硬度, G Pa. -Si3N4. -Si3N4. 45.3. 34.8-35.8. 彈性係數 ...

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陶瓷還具有介電性

氮化矽. -. -. -. -. -. Si3N4. 《表12-1 陶瓷依原子排列方式分類及其成分、用途(續)》 ..... 極化,愈易引起極化的材料,其介電常數愈大,愈適合做成電容器的介質材料。 2.

https://www.lungteng.com.tw