氧化鋁鋅

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氧化鋁鋅

AZO(氧化鋁鋅)透明導電薄膜特性氧化鋅(Zinc Oxide, ZnO)屬於N ... 氧化鋅電阻值高,具有壓電效應,傳統應用於壓電材料上,另外亦可應用於表面 ...,金屬氧化物電晶體具有成本低、製程溫度低、製程簡單、透明度及可撓度高等優點。目前文獻中,氧化鋁鋅大多作為電極的材料,尚未有以氧化鋁鋅為薄膜電晶體之 ... ,摘要本研究之目的為利用共沉澱法來製備控制成份組成(2.0 wt% Al2O3)之透明導電氧化鋁鋅(aluminum-doped zinc oxide, AZO)粉末,並以此粉末藉由陶瓷加工的 ... ,本研究於室溫下以射頻磁控共濺鍍系統,製備氧化鋁鋅透明導電薄膜,首先以摻雜Al2O3為2wt.% 之氧化鋁鋅合金靶作為濺鍍靶材,藉由改變射頻功率、濺鍍壓力及氬 ... ,本研究利用溶膠凝膠技術搭配旋轉塗佈法製備氧化鋁鋅(ZnO:Al)透明半導體薄膜 ... 實驗中證實兩種溶劑系統所生成之薄膜,皆隨著鋁摻雜濃度的增加,其X光繞射分析 ... , 近年來,由於ITO中的銦含量短缺、具毒性且容易和氫電漿產生還原反應,導致許多研究轉而尋求其取代之材料,因此本實驗以近期較熱門的氧化鋁鋅 ..., 子構裝銲點可靠度之材料議題 因應電子產品日趨輕薄短小的需求,覆晶技術搭配球腳格狀陣列的封裝已成為現今的封裝主流技術,其中銲錫凸塊的 ...,本研究以自製之噴霧裂解系統配合共沉澱法製備之前驅沉澱物,無須經由過濾、乾燥及煆燒等製程,可直接以噴霧熱裂解製備結晶性AZO粉末。實驗結果顯示,乾燥 ... , 本實驗之研究內容於以電弧離子鍍膜系統利用摻雜不同比例鋁(2、3%)之鋁鋅合金靶,在腔體溫度100℃下改變氧氣流量(10~150sccm)沉積氧化鋁 ...,本研究中,我們開發出不含貴重及稀有元素(In/Ga free)的氧化物半導體---氧化鋁鋅錫(Al-Zn-Sn-O),對非晶態氧化鋁鋅錫薄膜電晶體來進行電特性與材料特性的分析與 ...

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氧化鋁鋅 相關參考資料
AZO透明導電薄膜技術近況發展與應用:材料世界網

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以射頻濺鍍法製作氧化鋁鋅釔薄膜電晶體__臺灣博碩士論文知識加值系統

金屬氧化物電晶體具有成本低、製程溫度低、製程簡單、透明度及可撓度高等優點。目前文獻中,氧化鋁鋅大多作為電極的材料,尚未有以氧化鋁鋅為薄膜電晶體之 ...

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共沉澱製程條件對氧化鋁鋅透明導電材料特性影響之探討__臺灣博碩士 ...

摘要本研究之目的為利用共沉澱法來製備控制成份組成(2.0 wt% Al2O3)之透明導電氧化鋁鋅(aluminum-doped zinc oxide, AZO)粉末,並以此粉末藉由陶瓷加工的 ...

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共濺鍍氧化鋁鋅透明導電薄膜之研究__臺灣博碩士論文知識加值系統

本研究於室溫下以射頻磁控共濺鍍系統,製備氧化鋁鋅透明導電薄膜,首先以摻雜Al2O3為2wt.% 之氧化鋁鋅合金靶作為濺鍍靶材,藉由改變射頻功率、濺鍍壓力及氬 ...

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奈米結構化氧化鋁鋅薄膜之製作與光電性質研究__臺灣博碩士論文知識 ...

本研究利用溶膠凝膠技術搭配旋轉塗佈法製備氧化鋁鋅(ZnO:Al)透明半導體薄膜 ... 實驗中證實兩種溶劑系統所生成之薄膜,皆隨著鋁摻雜濃度的增加,其X光繞射分析 ...

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射頻濺鍍法成長氧化鋁鋅和氧化銦鋅薄膜及氫電漿處理之特性研究__ ...

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氧化鋁鋅固態反應法之製備與鑑定| Yahoo奇摩知識+

子構裝銲點可靠度之材料議題 因應電子產品日趨輕薄短小的需求,覆晶技術搭配球腳格狀陣列的封裝已成為現今的封裝主流技術,其中銲錫凸塊的 ...

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透明導電氧化鋁鋅粉末噴霧裂解製備技術之開發__臺灣博碩士論文知識 ...

本研究以自製之噴霧裂解系統配合共沉澱法製備之前驅沉澱物,無須經由過濾、乾燥及煆燒等製程,可直接以噴霧熱裂解製備結晶性AZO粉末。實驗結果顯示,乾燥 ...

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電弧離子鍍膜技術沉積氧化鋁鋅(AZO)透明導電薄膜__臺灣博碩士論文 ...

本實驗之研究內容於以電弧離子鍍膜系統利用摻雜不同比例鋁(2、3%)之鋁鋅合金靶,在腔體溫度100℃下改變氧氣流量(10~150sccm)沉積氧化鋁 ...

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電漿優化之透明氧化鋁鋅錫薄膜電晶體特性研究__臺灣博碩士論文知識 ...

本研究中,我們開發出不含貴重及稀有元素(In/Ga free)的氧化物半導體---氧化鋁鋅錫(Al-Zn-Sn-O),對非晶態氧化鋁鋅錫薄膜電晶體來進行電特性與材料特性的分析與 ...

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