氧化銦鎵鋅
本論文以磁控式射頻共濺鍍系統成長氧化銦鎵鋅薄膜與氧化銦鎵鋅鋁薄膜，除分析薄膜基本特性及隨時間變化外，並以標準黃光製程定義薄膜電晶體，將所研究之 ... ,氧化鋅與氧化銦鎵鋅雙層薄膜電晶體之研究. The Study on ZnO and IGZO Double Layer Thin Film Transistors. 施鈞維. 國立暨南國際大學電機工程學系學位論文； ... ,2013年6月19日 — 氧化銦、氧化錫和氧化鋅是一般熟知的透明導電氧化物(TCO)，其中摻雜 ... 的稱呼，以突顯其半導體特性，其中又以銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium ... ,論文名稱: 透明非晶態氧化銦鎵鋅薄膜電晶體研究與傳導機制建立 ... 論文摘要藉由探討氧通量，退火，不同製程因素使得氧含量對於銦鎵鋅氧薄膜的特性影響，以 ... ,本研究製備不同鎵（Gallium，Ga）含量的銦鎵鋅氧化物（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）濺鍍靶材，並用以製備上部閘極（Top-gate）薄膜電晶體（Thin-film ... ,本研究混合商用氧化銦（In2O3）、氧化鎵（Ga2O3）與氧化鋅（ZnO）粉體，再利用機械研磨法搭配化學分散法製成奈米級粉體，探討其製成兩吋直徑、單一 ... ,非晶銦鎵鋅氧化物半導體(a-IGZO)所構成的薄膜電晶體，可在低溫製程(常溫濺鍍)成膜，並具有高於非晶矽薄膜電晶體(a-Si:H TFT)的電子遷移率(>10cm2/VS)，故在 ... ,關鍵字: 氧化銦鎵鋅;鈍化層;熱退火;信賴性;IGZO;passivation;thermal anneal;reliability test. 引用: [1] 顏精一，氧化物薄膜電晶體發展歷程與優勢，顯示器產業 ... ,氧化銦鎵鋅（英語：indium gallium zinc oxide，縮寫：IGZO）是一種LCD薄膜電晶體顯示器技術，IGZO結晶最初由君塚昇於1985年合成，1990年代由東京工業 ... ,關鍵字: 射頻磁控濺鍍;氧化銦鎵鋅;臭氧氣體感測器;radio frequency magnetron sputter;InGaZnO;ozone gas detector. 引用: [1] 雷唯鑫,a-IGZO TFT 在7 英吋液晶 ...
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