氧化亞銅半導體
本发明是通过控制反应物中水溶液的pH值来得到所需要的不同导电类型(p或n型)的半导体氧化亚铜薄膜。方法是先配制一定浓度的二价铜离子盐溶液，通过稀酸和 ... ,本发明公开了一种氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法，用于解决现有的方法制备出的Cu 2 O禁带宽度大的技术问题。技术方案是超声清洗柔性ITO衬底， ... ,本研究中，我們以磁控式射頻濺鍍機(RF Sputter)來製作氧化銅及氧化亞銅 ... 入射到半導體的光子能量如果大於半導體本身的能隙值(band gap)[3]，則會將原先在價 ... ,銅氧化物有二種，分別為氧化銅(Cupric Oxide; CuO)與氧化亞銅(Cuprous;Cu2O)。 其中氧化銅是一個具1.2~1.9 eV 能隙的反鐵磁半導體，為一鐵灰色及有著較複雜. ,氧化銅(CuO)與氧化亞銅(Cu₂O)為p型的直接能隙半導體材料，其能隙分別為1.3eV及2.1eV，並能和n型半導體材料(如:二氧化鈦、氧化鋅等)結合形成異質接面 ... ,論文摘要氧化亞銅為一直接能隙(2.0eV)的半導體材料，具有在可見光區內高吸收係數、低製造成本、無毒性且在地球上含量豐富之優點。其光電特性使其可應用於 ... ,氧化亞銅在室溫下是一種半導體材料能隙2.17eV，在太陽能電池和量子元件 ... 研究發現在這兩種基板上氧化亞銅都可以成長出(110)-面取向的Cu2O 磊晶薄膜，. ,半導體又依其主要載子的不同，分為p 型與n 型兩種，p 型半導體由電洞做為. 主要載子，如CuO、 NiO、Cu2O 等等，而n 型半導體則由電子做為主要載子，如. TiO2 ... ,分類：. 氧化物 · 一價銅化合物 · 半導體材料.
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分類：. 氧化物 · 一價銅化合物 · 半導體材料. https://zh.wikipedia.org |