本質載子濃度
矽(Si)的本質載子濃度（intrinsic carrier concentration）為1.5×1010cm－3，在同樣的溫度下，若受體（acceptor）濃度為1.5×1015cm－3，熱平衡下的電子濃度約為何？ ,沒有其他種類原子在其內的單晶半導體材料，其內部的電子與電洞的濃度相. 同(主要影響濃度的因素為溫度). ◇ 本質載子濃度(Intrinic Carrier Concentration)=. , 半導體內部摻雜雜質的濃度，除了直接影響到材料的載子濃度，也影響了許多其與電有關 ... 尚未摻雜時的本質費米能，Ei (如圖所示)位於能隙中間。,以下就半導體中之載子（carriers）基本成因及. 特性做介紹，這 .... 而ni 為本質（intrinsic）載子濃度，對於矽晶體，常溫下之ni = 1.5 ×1010 cm–3，這對矽晶. 體之矽原子 ... ,半導體中的導電載子---電子與電洞. 帶溝與 ... 電流與擴散電流. 多出載子的傳導行為 ..... 若摻雜濃度較本質濃度高106倍的施子，導電電子濃度則增高106倍，同. 時電洞 ... ,在本質半導體中，帶電荷的載子有兩種，就是自由電子與電洞。電洞數量等於自由電子數量。這是因為產生的過程中，電子與電洞同時產生的。所以電子濃度等於電洞 ... ,基礎半導體物理. Energy Bands and Carrier Concentration in Thermal Equilibriumn. 熱平衡時的能帶及載子濃度. 2.1 SEMICONDUCTOR MATERIALS; 2.2 BASIC ... , 某純矽半導體在溫度T=300K下，假設本質載子濃度1.5x10的10次方單位cm -3次方 題目的兩 ... ni(本質載子濃度)的平方= n(電子濃度) x p(電洞濃度),一、本質半導體. 1. 無其他物質在晶格內之單一晶格半導體材料(不掺雜，純矽Si). 2. 電子與電洞之密度相同，因皆由熱產生. 3. 本質載子濃度. 其中， B 為常數，與特定之 ... , 如標題半導體本質濃度它和溫度有關係嗎不同的溫度本質濃度會不同嗎溫度越高本質濃度會上升嗎還有大量作用定律(mass active law) 多數載子 ...
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一、本質半導體. 1. 無其他物質在晶格內之單一晶格半導體材料(不掺雜，純矽Si). 2. 電子與電洞之密度相同，因皆由熱產生. 3. 本質載子濃度. 其中， B 為常數，與特定之 ... http://eportfolio.lib.ksu.edu. 請問什麼是半導體本質濃度| Yahoo奇摩知識+
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