本質增益intrinsic gain
1 一幾何比W/L、爾利電壓（Early voltage）皆固定的場效電晶體（FET），當過驅電壓VOV（Overdrive Voltage）變為原來的2 倍，則本質增益（Intrinsic Gain）將變為原來的 ... ,BJT 的本質增益（Intrinsic Gain）A0 比FET 的本質增益大. BJT 的輸入阻抗Ri 比FET 的輸入阻抗小. 如圖所示之電路，若MOSFET 操作在飽和區（ Saturation ... ,一幾何比W/L、爾利電壓（Earlyvoltage）皆固定的場效電晶體（FET），當過驅電壓VOV. （Overdrive Voltage）變為原來的2 倍，則本質增益（Intrinsic Gain）將變為原來的：. ,(A) lbias 增加 2 若電晶豆 RG 多< RD 維持操作於飽和區,則其電壓增益越- V。若 W/L ... 比 FET 的輸出電阻小( C ) BJT 的本質增益(Intrinsic Gain ) A0 比 FET 的本質 ... ,問題詳情. 1 一幾何比W/L、爾利電壓（Early voltage）皆固定的場效電晶體（FET），當過驅電壓VOV（OverdriveVoltage）變為原來的2 倍，則本質增益（Intrinsic Gain）將 ... ,Ibias 增加,若電晶體維持操作於飽和區,則其電壓增益越大 Cs=0 則其電壓增益為 0 ... FET 的輸出電阻小 BJT 的本質增益(Intrinsic Gain)A 0 比 FET 的本質增益大 ... ,首先，電晶體的短通道效應造成其本質增益(intrinsic gain) 降低至10 左右。另外，為了維持可靠度，先進製程的供應電壓已降至一伏特以下，許多傳統的設計技巧如 ... ,... 開迴路增益(Open-loop. Gain)、相位邊限(Phase Margin, PM)、偏移電壓(Offset Voltage)、迴轉率 ... MOS 電晶體來說，本質增益(Intrisic Gain)與單增益頻率(Unit-Gain. Frequency)這兩者之間 ... 所各自擁有的最高本質增益. Size(W/L) Intrinsic Gain. ,(A)BJT的轉導（Transconductance）gm比FET的轉導大 (B)BJT的輸出電阻ro比FET的輸出電阻小 (C)BJT的本質增益（Intrinsic Gain）A0比FET的本質增益大 (D)BJT的 ...
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