本質增益
1 一幾何比W/L、爾利電壓（Early voltage）皆固定的場效電晶體（FET），當過驅電壓VOV（Overdrive Voltage）變為原來的2 倍，則本質增益（Intrinsic Gain）將變為原來的 ... ,BJT 的本質增益（Intrinsic Gain）A0 比FET 的本質增益大. BJT 的輸入阻抗Ri 比FET 的輸入阻抗小. 如圖所示之電路，若MOSFET 操作在飽和區（ Saturation ... ,BJT 的本質增益（Intrinsic Gain）A0 比FET 的本質增益大. BJT 的輸入阻抗Ri 比FET 的輸入阻抗小. 22 如圖所示之電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation ... ,31 關於MOSFET 的本質增益gmro，下列敘述何者正確？ (A) gmro 與過驅電壓（VGS －VTH）成正比 (B) gmro 與過驅電壓（VGS －VTH）成反比 (C) gmro 與偏壓 ... ,(D)BJT的本質增益(intrinsic voltage gain) Ao 比FET的本質增益大. 8. 右圖電路為衛德勒(Wilder)電流源,此電路的特色為. Voc. (A)使用較大的電阻來輸出大電流. ,首先，電晶體的短通道效應造成其本質增益(intrinsic gain) 降低至10 左右。另外，為了維持可靠度，先進製程的供應電壓已降至一伏特以下，許多傳統的設計技巧如 ... ,MOS 電晶體來說，本質增益(Intrisic Gain)與單增益頻率(Unit-Gain. Frequency)這兩者之間存在著互相限制的關係，因此，若是要設計一個. 高增益的運算放大器，則其 ... ,當增益以電壓而非功率計算時，使用焦耳定律（Joule's law，P=V2/R），其公式為：. 增益=10×log10 ((V22/R) /(V12/ ... ,(A)BJT的轉導（Transconductance）gm比FET的轉導大 (B)BJT的輸出電阻ro比FET的輸出電阻小 (C)BJT的本質增益（Intrinsic Gain）A0比FET的本質增益大 (D)BJT的 ... ,n-MOSFET 之參數為VTN = 1V，(1/2)μnCox = 20μA/V. 2 及W/L = 40。 設汲極電流ID = 1mA。求gm. 解：. MOSFET 轉導(即增益)比BJT 來的小，. 但有較高輸入阻抗、 ...
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