晶 邊 清洗
本发明涉及一种半导体光刻中用于检测晶圆片晶边清洗宽度的方法。所述检测方法的步骤包括:在晶圆片上涂覆光阻膜,并清洗晶边;在晶圆片的晶边上定义多个 ... ,晶邊清洗可在製程步驟之間把晶圓邊緣上不要的罩幕(mask)、殘留物和薄膜去除。如果不清洗乾淨,這些物質會成為缺陷的來源。例如,它們會在隨後的製程中剝落 ... ,... 晶薄化等應用。 Lam Research的Reliant®旋轉濕式清洗產品是通過高生產力驗證的全套解決方案,適用於前段(FEOL)、後段(BEOL)製程和晶背/晶邊清洗應用。 , ,凱爾迪科技股份有限公司專研半導體溼製程設備,推出清洗機、去光阻機及超音波上光阻機等多款設備,並提供客製 ... ,主要用途為晶邊清洗液配方。 SDS · SPEC. 醋酸丙二醇甲醚酯. PGMEA, 108-65-6, 主要用途為晶邊清洗液以及其他 ... ,用途:於微影成像後,去除光. 用途於微影成像後去除光. 阻,清洗晶圓,達到酸鹼中和,. 以進行後續製程。 清洗劑:. • 清洗劑:. – APM(SC-1 或HA):. • ... ,如光阻洗邊(edge bead removal,EBR)太寬會造成完整晶圓顆粒(die)的損失而直接. 影響良率,而定點曝光不良(hot spots) 的問題則是由於黃光曝光機構內的E-chuck. ,EBR = Edge Bead Remover。 因為旋塗中有所謂的離心力,造成光阻會跑到晶邊與晶背,若是不除去, ...
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