晶 圓 蒸鍍
基本上做到垂直鍍膜，最簡單的作法是讓待鍍晶圓中心與準電子束蒸鍍源中心構成正交90度的狀態，從而達成金屬薄膜可垂直地蒸鍍待鍍晶圓表面，業界一般公認上述正交狀態在90度 ... ,... 晶圓上還原成金屬的一種成膜的方式。 化鍍製程最大特色是，只需利用一系列的氧化還原反應，將鎳金/鎳鈀金選擇性的成長在鋁墊上，完全不需要經過高真空濺鍍/黃光製程 ... ,... 蒸鍍，一種叫濺鍍。濺鍍時，會用一堆氬離子轟炸一塊靶材，靶材的原子就會被炸飛並濺射到晶圓上，形成一層薄膜。 物理氣相沉積法PVD(濺鍍). 刻字訣. 刻字訣的目的是把晶圓 ... ,宜特提供的蒸鍍機，可達厚度50 um之厚銀。 · 提供雙冷凍幫浦，提升金屬成長高真空環境度。 · 靶材選擇多樣化，且可客製化。 · 工程師團隊背景多元化，有來自前段晶圓代工廠、 ... ,奈米孿晶薄膜具有(111)優選方位，其擴散係數較(100)及(110)晶面高2 到. 5 個數量級，應用在3D-IC 前段「系統整合晶片(SoIC)」堆疊元件與後段「晶片. 對晶圓對 ... ,... 晶圓背面鍍金等要求成本的場合. 通常分為熱蒸鍍及電子槍蒸鍍二種. 蒸鍍材料大部份是規則或不規則的顆粒, 這樣材料的使用率最高. 在電子槍蒸鍍中, 也使用可直接放進水冷 ... ,晶圓薄化的背面金屬化製程中Backside metallization ，金屬蒸鍍沈積，在高真空的環境，利用電子束加熱欲蒸鍍之靶材，使靶材氣化後附著在加熱的晶圓表面。 ,晶圓薄化的背面金屬化製程中Backside metallization ，金屬蒸鍍沈積，在高真空的環境，利用電子束加熱欲蒸鍍之靶材，使靶材氣化後附著在加熱的晶圓表面。
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