擴散阻障層
研究生(外文):, Meng-Shuo Huang. 論文名稱: 雙層超薄Ru/Ta-Si-C擴散阻障層與銅連導線製程特性探討. 論文名稱(外文):, Properties of Ultrathin Ru/TaSiC Bi-Layer ... ,首先誠摯的感謝指導教授張守一博士，老師悉心的教導使我得以. 一窺自形成擴散阻障層領域的深奧，不時的討論並指點我正確的方. 向，使我在這些年中獲益匪淺。 ,強度，並與銅/鉭/氮化鉭疊層結構進行比較，以期達到改善金屬銅膜與氮. 化鉭阻障層間的附著性，並減少製程之複雜度。 我們在氮化鉭擴散阻障層薄膜的沉積過程中， ... ,然而由於銅原子擴散係數高，一旦銅擴散至矽元件中，極易造成元件特性退化，因此需要於銅導線與介電層之間加入有效之擴散阻障層，以提升元件之電性可靠度；理想 ... ,氮化釕薄膜一些晶格變化的狀況，並利用XRD觀察其晶體. 結構的改變，藉由銅矽化合物的有無即可判斷銅是否擴散至. 下層介電層之中。金屬阻障層原為柱狀晶結構， ... ,當超大型積體電路元件尺寸不斷的縮小，半導體銅製程內連線之線路寬度急遽降低，為防止銅迅速擴散進入元件內造成特性退化，需要擴散阻障層來阻隔銅的擴散。 ,本研究中，提出一種新穎的疊層鈦/氮化鈦擴散阻障層，並成功的應用在銅金屬化及鋁金屬化之製程。疊層鈦/氮化鈦可阻斷氮化鈦柱狀晶體的的快速通道，並且延緩金屬 ... , 本文介紹積體電路(Integrated Circuits)的發展歷程中，擴散阻障層材料的選擇與運用有哪些相對應的演變與研究。曾廣泛應用於鋁製程的擴散阻障層 ..., (2)犧牲阻障層，會與上下層起反應，最終失去功用。(3)無晶界阻障層，因為影響薄膜最主要是晶界間的擴散機制，所以能產生非晶界結構的阻障層是 ...
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研究生(外文):, Meng-Shuo Huang. 論文名稱: 雙層超薄Ru/Ta-Si-C擴散阻障層與銅連導線製程特性探討. 論文名稱(外文):, Properties of Ultrathin Ru/TaSiC Bi-Layer ... https://ndltd.ncl.edu.tw 國立中興大學材料科學與工程學系碩士學位論文濺鍍銅合金薄膜 ...
首先誠摯的感謝指導教授張守一博士，老師悉心的教導使我得以. 一窺自形成擴散阻障層領域的深奧，不時的討論並指點我正確的方. 向，使我在這些年中獲益匪淺。 http://ir.lib.nchu.edu.tw 國立交通大學機構典藏- 交通大學
強度，並與銅/鉭/氮化鉭疊層結構進行比較，以期達到改善金屬銅膜與氮. 化鉭阻障層間的附著性，並減少製程之複雜度。 我們在氮化鉭擴散阻障層薄膜的沉積過程中， ... https://ir.nctu.edu.tw 多元材料製程與性質
然而由於銅原子擴散係數高，一旦銅擴散至矽元件中，極易造成元件特性退化，因此需要於銅導線與介電層之間加入有效之擴散阻障層，以提升元件之電性可靠度；理想 ... http://web.nchu.edu.tw 應用於半導體新阻障層材料與製程研究
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當超大型積體電路元件尺寸不斷的縮小，半導體銅製程內連線之線路寬度急遽降低，為防止銅迅速擴散進入元件內造成特性退化，需要擴散阻障層來阻隔銅的擴散。 https://www.airitilibrary.com 疊層阻障層鈦氮化鈦及氮化鉭應用於銅金屬化及鋁金屬化之研究
本研究中，提出一種新穎的疊層鈦/氮化鈦擴散阻障層，並成功的應用在銅金屬化及鋁金屬化之製程。疊層鈦/氮化鈦可阻斷氮化鈦柱狀晶體的的快速通道，並且延緩金屬 ... https://ir.nctu.edu.tw 銅製程之擴散阻障層材料的發展與挑戰：材料世界網
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(2)犧牲阻障層，會與上下層起反應，最終失去功用。(3)無晶界阻障層，因為影響薄膜最主要是晶界間的擴散機制，所以能產生非晶界結構的阻障層是 ... http://ctld.nthu.edu.tw |