微縮 製程
2021年3月11日 — 以往14奈米製程採用193奈米ArF光源浸潤式微影，現在的5奈米節點用13.5奈米極紫外光微影(EUV)，隨著EUV技術的不斷升級，生產2奈米元件理論上沒問題。 除了 ... ,2020年8月25日 — 台積電技術論壇(TSMC Technology Symposiums)首度移師線上，由總裁魏哲家率領各部門主管，從整體技術發展藍圖、先進邏輯製程、特殊製程、3DIC/先進 ... ,2021年3月19日 — MM小組關注的就是延續摩爾定律生命、具成本效益的半導體製程微縮方法(包含邏輯元件與記憶體)，包括3D電晶體架構(FinFET，GAA)、極紫外光(EUV)微影 ... ,晶圓代工大廠台積電(TSMC)資深研發副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前於美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續進行半導體製程微縮的途徑 ... ,十年後半導體製程微縮挑戰在於成本而非技術. 新聞來源: EETimes (2011.10.27). 晶圓代工大廠台積電(TSMC)資深研發副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前於美國舉行的ARM ... ,晶圓磊晶層(Epitaxy Layer)普遍採用的矽材料，在邁入10奈米技術節點後，將面臨物理極限，使製程微縮效益降低，因此半導體大廠已相繼投入研發更穩定、高效率的替代材料 ... ,由於採取更積極的製程微縮，台積公司10奈米FinFET製程技術較16奈米FinFET製程技術，在邏輯閘密度（Logic Density）提高2倍，速度增快約15%，功耗降低35%。 ,2020年7月6日 — 目前三星和台積電的7nm和5nm製程，都是使用鰭式電晶體（FinFET）的立體架構。該製程的問世就是因為平面的微縮技術在25nm以下遇到瓶頸， 為了持續推進摩爾 ... ,2011年5月23日 — 晶圓代工製程一開始皆依循每個世代線寬縮減約0.7倍、即電晶體數目增加1倍的規則，從1微米(μm) 、0.7微米、0.50微米、0.35微米、0.25微米、0.18 ... ,微影就是用光將電路設計圖微縮投印在矽晶片上— 這是量產晶片時最重要的步驟。 ... ASML提供浸潤式和乾式微影解決方案，幫助晶片製造商量產各種節點和技術製程。
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