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半導體中的隧道效應(又稱穿隧效應,tunneling effect)是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的一個例子。這種現象在半導體元件的尺度不斷縮小後愈加明顯。 目录. 1 描述. 1.1 閘極破壞; 1.2 漏電流. 2 應用; 3 參考文獻. 描述[编辑]. 半導體中的穿隧效應,一般發生於半導體元件因散熱不佳而過熱時,電荷帶有 ... 穿隧效應對MOSFET的影響包括:穿隧過絕緣氧化層,或穿隧過通道。 ,在本篇文章中,我們開發出新型穿隧式場效應電晶體,利用單層二硫化鉬(MoS2) 作為導電. 通道,進行帶對帶穿隧的實驗觀察。從研究結果中發現,分別施加負或正 ... , ,研究者可藉量測不同偏壓下的穿隧電流,以獲得原子的LDOS,這種技術就是掃描 ... 大自然的物理規律,被美麗而清晰的理論與公式所描繪,帶來了物理發展的巔峰。 ... 減振基座的設計須來自對古典力學阻尼的理解;STM 探針元件的設計與材料的 ... ,對一般金屬而言(功函數約4-5eV),1埃的間距差可導致穿隧電流10倍的增減( ... 中準備出非常乾淨的表面;發展出帶針至樣品表面的方法;掃描時將針跟樣品的 ... ,2011年2月23日 — 穿隧電流對針尖的與樣品的距離非常敏感,成數量級變化,即對垂直方向的 ... 此原子是因電流加熱而移動,此成果將對奈米技術帶來重要的進展。 ,2014年12月24日 — 穿隧(通過勢壘)Tunneling (through a potential barrier) ... 在那裏,故對巨觀的系統來說,穿隧的機率都趨近於零,所以我們平常幾乎看不到穿隧 ... ,在量子力學裏,量子穿隧效應(Quantum tunnelling effect)指的是,像电子等微观粒子能夠穿入 ... 他認為,質子可能會穿隧透過在DNA碱基对內的氫鍵的位勢壘,假設在質子穿隧之後,DNA又完成了複製的動作, ... 向偏壓,則電子可以很容易地從N型半導體的導帶穿隧通過耗盡層進入P型半導體的價帶,從而產生顯著的電流量。

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帶 對 帶 穿隧 相關參考資料
半导体中的隧道效应- 维基百科,自由的百科全书

半導體中的隧道效應(又稱穿隧效應,tunneling effect)是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的一個例子。這種現象在半導體元件的尺度不斷縮小後愈加明顯。 目录. 1 描述. 1.1 閘極破壞; 1.2 漏電流. 2 應用; 3 參考文獻. 描述[编辑]. 半導體中的穿隧效應,一般發生於半導體元件因散熱不佳而過熱時,電荷帶有 ... 穿隧效應對MOSFET的影響包括:穿隧過絕緣氧化層,或穿隧...

https://zh.wikipedia.org

原子級單層二硫化鉬帶對帶穿隧場效應電晶體 - 台灣半導體研究 ...

在本篇文章中,我們開發出新型穿隧式場效應電晶體,利用單層二硫化鉬(MoS2) 作為導電. 通道,進行帶對帶穿隧的實驗觀察。從研究結果中發現,分別施加負或正 ...

http://www.ndl.narl.org.tw

國立交通大學機構典藏- 交通大學

https://ir.nctu.edu.tw

掃描穿隧能譜 用穿隧效應,洞察量子天地 研之有物- 中央 ...

研究者可藉量測不同偏壓下的穿隧電流,以獲得原子的LDOS,這種技術就是掃描 ... 大自然的物理規律,被美麗而清晰的理論與公式所描繪,帶來了物理發展的巔峰。 ... 減振基座的設計須來自對古典力學阻尼的理解;STM 探針元件的設計與材料的 ...

https://research.sinica.edu.tw

掃描穿隧顯微術 - 中央研究院物理研究所

對一般金屬而言(功函數約4-5eV),1埃的間距差可導致穿隧電流10倍的增減( ... 中準備出非常乾淨的表面;發展出帶針至樣品表面的方法;掃描時將針跟樣品的 ...

https://www.phys.sinica.edu.tw

穿隧效應(Tunneling Effect) 的應用(一):掃描穿 ... - 科學Online

2011年2月23日 — 穿隧電流對針尖的與樣品的距離非常敏感,成數量級變化,即對垂直方向的 ... 此原子是因電流加熱而移動,此成果將對奈米技術帶來重要的進展。

http://highscope.ch.ntu.edu.tw

穿隧(通過勢壘) | 科學Online

2014年12月24日 — 穿隧(通過勢壘)Tunneling (through a potential barrier) ... 在那裏,故對巨觀的系統來說,穿隧的機率都趨近於零,所以我們平常幾乎看不到穿隧 ...

https://highscope.ch.ntu.edu.t

量子穿隧效應- 维基百科,自由的百科全书

在量子力學裏,量子穿隧效應(Quantum tunnelling effect)指的是,像电子等微观粒子能夠穿入 ... 他認為,質子可能會穿隧透過在DNA碱基对內的氫鍵的位勢壘,假設在質子穿隧之後,DNA又完成了複製的動作, ... 向偏壓,則電子可以很容易地從N型半導體的導帶穿隧通過耗盡層進入P型半導體的價帶,從而產生顯著的電流量。

https://zh.wikipedia.org