帶 對 帶 穿隧
半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的一個例子。這種現象在半導體元件的尺度不斷縮小後愈加明顯。 目录. 1 描述. 1.1 閘極破壞; 1.2 漏電流. 2 應用; 3 參考文獻. 描述[编辑]. 半導體中的穿隧效應，一般發生於半導體元件因散熱不佳而過熱時，電荷帶有 ... 穿隧效應對MOSFET的影響包括：穿隧過絕緣氧化層，或穿隧過通道。 ,在本篇文章中，我們開發出新型穿隧式場效應電晶體，利用單層二硫化鉬(MoS2) 作為導電. 通道，進行帶對帶穿隧的實驗觀察。從研究結果中發現，分別施加負或正 ... , ,研究者可藉量測不同偏壓下的穿隧電流，以獲得原子的LDOS，這種技術就是掃描 ... 大自然的物理規律，被美麗而清晰的理論與公式所描繪，帶來了物理發展的巔峰。 ... 減振基座的設計須來自對古典力學阻尼的理解；STM 探針元件的設計與材料的 ... ,對一般金屬而言（功函數約4-5eV），1埃的間距差可導致穿隧電流10倍的增減（ ... 中準備出非常乾淨的表面；發展出帶針至樣品表面的方法；掃描時將針跟樣品的 ... ,2011年2月23日 — 穿隧電流對針尖的與樣品的距離非常敏感，成數量級變化，即對垂直方向的 ... 此原子是因電流加熱而移動，此成果將對奈米技術帶來重要的進展。 ,2014年12月24日 — 穿隧（通過勢壘）Tunneling (through a potential barrier) ... 在那裏，故對巨觀的系統來說，穿隧的機率都趨近於零，所以我們平常幾乎看不到穿隧 ... ,在量子力學裏，量子穿隧效應（Quantum tunnelling effect）指的是，像电子等微观粒子能夠穿入 ... 他認為，質子可能會穿隧透過在DNA碱基对內的氫鍵的位勢壘，假設在質子穿隧之後，DNA又完成了複製的動作， ... 向偏壓，則電子可以很容易地從N型半導體的導帶穿隧通過耗盡層進入P型半導體的價帶，從而產生顯著的電流量。
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 帶 對 帶 穿隧 相關參考資料
半导体中的隧道效应- 维基百科，自由的百科全书
半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的一個例子。這種現象在半導體元件的尺度不斷縮小後愈加明顯。 目录. 1 描述. 1.1 閘極破壞; 1.2 漏電流. 2 應用; 3 參考文獻. 描述[编辑]. 半導體中的穿隧效應，一般發生於半導體元件因散熱不佳而過熱時，電荷帶有 ... 穿隧效應對MOSFET的影響包括：穿隧過絕緣氧化層，或穿隧... https://zh.wikipedia.org 原子級單層二硫化鉬帶對帶穿隧場效應電晶體 - 台灣半導體研究 ...
在本篇文章中，我們開發出新型穿隧式場效應電晶體，利用單層二硫化鉬(MoS2) 作為導電. 通道，進行帶對帶穿隧的實驗觀察。從研究結果中發現，分別施加負或正 ... http://www.ndl.narl.org.tw 國立交通大學機構典藏- 交通大學
https://ir.nctu.edu.tw 掃描穿隧能譜 用穿隧效應，洞察量子天地 研之有物- 中央 ...
研究者可藉量測不同偏壓下的穿隧電流，以獲得原子的LDOS，這種技術就是掃描 ... 大自然的物理規律，被美麗而清晰的理論與公式所描繪，帶來了物理發展的巔峰。 ... 減振基座的設計須來自對古典力學阻尼的理解；STM 探針元件的設計與材料的 ... https://research.sinica.edu.tw 掃描穿隧顯微術 - 中央研究院物理研究所
對一般金屬而言（功函數約4-5eV），1埃的間距差可導致穿隧電流10倍的增減（ ... 中準備出非常乾淨的表面；發展出帶針至樣品表面的方法；掃描時將針跟樣品的 ... https://www.phys.sinica.edu.tw 穿隧效應(Tunneling Effect) 的應用（一）：掃描穿 ... - 科學Online
2011年2月23日 — 穿隧電流對針尖的與樣品的距離非常敏感，成數量級變化，即對垂直方向的 ... 此原子是因電流加熱而移動，此成果將對奈米技術帶來重要的進展。 http://highscope.ch.ntu.edu.tw 穿隧（通過勢壘） | 科學Online
2014年12月24日 — 穿隧（通過勢壘）Tunneling (through a potential barrier) ... 在那裏，故對巨觀的系統來說，穿隧的機率都趨近於零，所以我們平常幾乎看不到穿隧 ... https://highscope.ch.ntu.edu.t 量子穿隧效應- 维基百科，自由的百科全书
在量子力學裏，量子穿隧效應（Quantum tunnelling effect）指的是，像电子等微观粒子能夠穿入 ... 他認為，質子可能會穿隧透過在DNA碱基对內的氫鍵的位勢壘，假設在質子穿隧之後，DNA又完成了複製的動作， ... 向偏壓，則電子可以很容易地從N型半導體的導帶穿隧通過耗盡層進入P型半導體的價帶，從而產生顯著的電流量。 https://zh.wikipedia.org |