工 研 院 記憶體
工研院電光所副所長高明哲以人腦來比喻,最理想的記憶體除了運作速度要夠快、耗能要夠低之外,最重要的是能在沒有電流的供給下,仍能具有記憶保存資料的功能,就是儲存內容 ... ,技術簡介. 氧化物電阻式記憶體是一種利用電壓來改變氧化物電阻的新興非揮發性記憶體技術,其主要的特點在於元件結構簡單。工研院目前所開發的HfOx電阻式記憶體,其特性 ... ,工研院於今美國舉辦的IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting,IEDM)中發表三篇鐵電記憶體(Ferroelectric RAM,FRAM)以及三篇磁阻隨機存取 ... ,一、主辦單位:財團法人工業技術研究院(以下簡稱「工研院」)。 二、非專屬授權標的:電阻式記憶體相關專利(9案17件),詳如附件。 三、非專屬授權廠商資格:國內依 ... ,技術簡介. 為增加臺灣記憶體產業的國際競爭力,協助國內記憶體產業發展所需的高容量、高性能、低功耗、低延遲、小尺寸之記憶體封裝技術需求,工研院研發「矽穿孔中介層 ... ,磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory)是擁有高讀寫 ... 記憶體,本所採用磁性穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction)元件作為MRAM記憶體之 ... ,October 25, 2021 by 姚惠茹 Tagged: 內運算加速晶片, 工研院, 記憶體, 陽明交大AI 人工智慧, 晶片, 記憶體. Telegram share ! ,2021年10月25日 — 相信再經過幾年的努力,打造如人腦一般高效的人工智慧運算硬體將不再是遙不可及的夢想。 國立陽明交通大學_National Yang Ming Chiao Tung University.,2021年4月20日 — 在經濟部技術處支持下的半導體年度盛事「2021國際超大型積體電路技術研討會」(VLSI) 於今日登場,大會今年聚焦在最熱門的AI晶片運算、新興記憶體 ...
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垂直式自旋磁性記憶體技術 - 工業技術研究院
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