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封裝線徑

裝，研究銅線打線封裝製程的參數來改善銲墊下線路型封裝良率，尋找良. 好的可作業 ... 銅線封裝與CUP 理論介紹. ... 4.14 針對不同銅線線徑及封裝型態可靠度測試. , IC進行封裝時，需利用金屬線材，將晶片(chip)及導線架(lead frame)做連接，由於 ... 可針對鋁線、金線、銅線進行試驗，線徑可小至0.8mil以下。, 半導體封裝內部接合方式，可分為打線接合(wire bonding)、捲帶式自動 ... 性佳等物理特性，被用於IC封裝打線接合時，其良率、生產效率及線徑 ...,目前國內鮮少有關氮化鎵功率晶體的封裝研究，而此次研究嘗試以GaN ... 封裝製程中最關鍵的便是晶粒連線技術，而Wire Bond 接合技術是目前 ... 線徑(μm) (mil). 1. ,打線接合(英語：Wire bonding)是一種積體電路封裝產業中的製程之一，利用線徑15-50微米的金屬線材將晶片(chip)及導線架(lead frame)連接起來的技術，使微小 ... ,廣泛應用於IC、大型積體電路、電晶體等領域的接合線。 ... 金線. 從DIP、SIP乃至於QFP、BGA、FBGA等各種型態的封裝皆可對應; 也可對應最近 ... 線徑=20um） ... ,況下，硬度高的銅線封裝打線接合過程中，可能產生鋁墊缺鋁(Metal. Void)而 ... (Hold)，可決定適用何種線徑，圖中CD 是說明銲針內(Chamfer Diameter )銲針孔. ,註解:H=線徑+ 0.2mil. CD=金球直徑–0.5 mil. T=Pad pitch x 1.3. CA=90 度Or 120 度. FA=15 度. 鑒於目前IC 封裝產業的需求，銲針規格在銲線製程的技術不斷精進 ... ,半導體封裝技術在台灣發展已經相當成熟，. 不論是硬體 ... 爭力上，銅線製程已是勢在必行，且是降低成本. 最好的方法 ... (2) 不同線徑的銅線與金線比較硬度，銅線.

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國立高雄大學電機工程學系學系(研究所) 碩士論文

裝，研究銅線打線封裝製程的參數來改善銲墊下線路型封裝良率，尋找良. 好的可作業 ... 銅線封裝與CUP 理論介紹. ... 4.14 針對不同銅線線徑及封裝型態可靠度測試.

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封裝打線強度試驗(Wire Bond Test) - iST宜特

IC進行封裝時，需利用金屬線材，將晶片(chip)及導線架(lead frame)做連接，由於 ... 可針對鋁線、金線、銅線進行試驗，線徑可小至0.8mil以下。

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半導體封裝內部接合方式，可分為打線接合(wire bonding)、捲帶式自動 ... 性佳等物理特性，被用於IC封裝打線接合時，其良率、生產效率及線徑 ...

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封裝製程與實驗作法介紹 - 國立交通大學機構典藏

目前國內鮮少有關氮化鎵功率晶體的封裝研究，而此次研究嘗試以GaN ... 封裝製程中最關鍵的便是晶粒連線技術，而Wire Bond 接合技術是目前 ... 線徑(μm) (mil). 1.

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打線接合- 维基百科，自由的百科全书

打線接合(英語：Wire bonding)是一種積體電路封裝產業中的製程之一，利用線徑15-50微米的金屬線材將晶片(chip)及導線架(lead frame)連接起來的技術，使微小 ...

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田中貴金屬集團｜接合線 - TANAKA Precious Metals

廣泛應用於IC、大型積體電路、電晶體等領域的接合線。 ... 金線. 從DIP、SIP乃至於QFP、BGA、FBGA等各種型態的封裝皆可對應; 也可對應最近 ... 線徑=20um） ...

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碩士論文銅線製程對鋁墊缺鋁改善參數研究Study of Pad Me

況下，硬度高的銅線封裝打線接合過程中，可能產生鋁墊缺鋁(Metal. Void)而 ... (Hold)，可決定適用何種線徑，圖中CD 是說明銲針內(Chamfer Diameter )銲針孔.

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第一章緒論

註解:H=線徑+ 0.2mil. CD=金球直徑–0.5 mil. T=Pad pitch x 1.3. CA=90 度Or 120 度. FA=15 度. 鑒於目前IC 封裝產業的需求，銲針規格在銲線製程的技術不斷精進 ...

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銅線封裝技術 - PDF4PRO

半導體封裝技術在台灣發展已經相當成熟，. 不論是硬體 ... 爭力上，銅線製程已是勢在必行，且是降低成本. 最好的方法 ... (2) 不同線徑的銅線與金線比較硬度，銅線.

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