夾止電壓
圖5.2:增強型NMOS 電晶體，其閘極加上正電壓。 一個n型通道在閘 ... 端，vGD. 降到Vt. ，汲極端的通道深度降為零. (夾止)。此時，MOSFET 進入飽和區操作。更. ,題目: http://ppt.cc/wAOh 答案: http://ppt.cc/1ce_ 夾止電壓該怎麼用呢? 何時用? , ,在汲極通道夾止的條件下，求出在飽和區的飽和. 電流。 計算υDS很小的情形 p n+. 源極. (S). 閘 ... ,當VDS 繼續增加時，最後會使空乏區如(c)圖所示那樣將整個通道佔滿，此時的VDS=4V，我們稱為夾止電壓(Pinchoff Voltage)VP ，這是因為在VP 電壓時通道被夾 ... ,(. ) 已知N 通道增強型MOSFET 之臨界電壓VGS t = 1V，若VG = 3V、VS = 1.5V、VD = 4V ，則工作模式為何？ (A)夾止飽和區模式. (B)歐姆區模式(C)截止區模式(D) ... ,當閘極電壓負到一臨界值，空乏區會寬到使n型通道完全消失，這時稱此通. 道被夾止(pinch off)，電阻值變成很大，這時的閘極電壓值稱為夾止電壓. (pinch-off ... ,要夾止通道需要逆向偏壓。甚至同一型號的元件的夾止電壓也可能差異很大，一般在0.3至10伏之間。 假如在柵極和源極之間施一負電壓的話則閘源二極體之間的耗 ... ,2. 在飽和區時，電流ID的值受到電壓VGS影響很大，符合電壓控制的特性。 △圖8-8 JFET的ID - VDS特性曲線. (a) N通道. ,但是隨著汲極電壓增加，超過閘極電壓時，會使得接近汲極區的反轉層電荷為零，此處的通道消失（如圖），這種狀況稱之為夾止（pinch-off）。在這種狀況下，由 ...
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Chapter05 金氧半場效電晶體
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2. 在飽和區時，電流ID的值受到電壓VGS影響很大，符合電壓控制的特性。 △圖8-8 JFET的ID - VDS特性曲線. (a) N通道. http://www.csvs.chc.edu.tw 金屬氧化物半導體場效電晶體- 维基百科，自由的百科全书
但是隨著汲極電壓增加，超過閘極電壓時，會使得接近汲極區的反轉層電荷為零，此處的通道消失（如圖），這種狀況稱之為夾止（pinch-off）。在這種狀況下，由 ... https://zh.wikipedia.org |