天線效應antenna effect
Antenna effect-天线效应- 版图设计中的天线效应！ 最近做版图设计中，经常要考虑到天线效应，常用插入二极管的方法来消除天线效应，下面给出天线效应的解释： 打个简单的比方，在宏观...,造成其他影響電路特性的效應產生，目前也會將這些可以避免的效應定義在design rules 中，. 以提高晶片良率。 (一) 天線效應(antenna effect). 天線效應是電漿製程(乾蝕刻)中常見到的負面效應，有可能會明顯的降低晶片良率。簡. 而言之，是由於電漿製程中出現大量電荷，不正常累積於電晶體閘極(Gate)上的金屬層，導. 致閘極介電層 ... , 在半導體製造過程當中，電漿蝕刻(Plasma Etching)時，若金屬層(導體層Metal/Polysilicon)累積了過多的電荷，將會導致了不正常路徑隨機放電，而永久損害了元件（MOS），也因為金屬層的行為就如同天線收集了電荷，因而稱為Antenna Effect。累積的電荷隨暴露的面積增加而越大。這種不良的效應會導致產品在製造 ...,標題: 天線效應於0.13微米快閃記憶體所造成的損害及如何避免和良率提升之研究. Study the Damage of Antenna Effect in 0.13μm Flash and Yield Enhancement about Reducing Antenna Effect. 作者: 廖學鉦 · 張國明 · Dr. Kow-Ming Chang · 電機學院電子與光電學程. 關鍵字: 天線效應;快閃記憶體;antenna effect;flash me,會有啊，天線效應是指芯片在製作的過程中，導線上積累了大量無處釋放的電荷，積累到一定程度會將gate擊穿，然後泄放，這樣mos會被損壞。所以天線 ... 这样做的原理简单是：在process的過程中，每一個連接工藝步驟后都會進行一次靜電荷的釋放，所以在metal上的靜電荷會被放掉，就杜絕了antenna effect的發生； ,本論文永久網址: 複製永久網址. 研究生: 廖學鉦. 論文名稱: 天線效應於0.13微米快閃記憶體所造成的損害及如何避免和良率提升之研究. 論文名稱(外文):, Study the Damage of Antenna Effect in 0.13μm Flash and Yield Enhancement about Reducing Antenna Effect. 指導教授: 張國明. 指導教授(外文):, Kow-Ming Chang. 學位類別 ... ,如果积累了电荷的导体直接连接到器件的栅极上，就会在多晶硅栅下的薄氧化层形成F-N 隧穿电流泄放电荷，当积累的电荷超过一定数量时，这种F-N 电流会损伤栅氧化层，从而使器件甚至整个芯片的可靠性和寿命严重的降低。在F-N 泄放电流作用下，面积比较大的栅得到的损伤较小。因此，天线效应（Process Antenna Effect，PAE）， ... , 因此，天线效应（Process Antenna Effect，PAE），又称之为“等离子导致栅氧损伤（plasma induced gate oxide damage，PID）”。 天线效应的消除方法1） 跳线法。又分为“向上跳线”和“向下跳线”两种方式，如图2（b）所示。跳线即断开存在天线效应的金属层，通过通孔连接到其它层（向上跳线法接到天线层的上一层，向下 ..., 隨著技術的發展，集成電路密度不斷增加，而柵氧化層寬度不斷減少，超大規模集成電路中常見的多種效應變得原來越重要並難以控制。天線效應便是其中之一。在過去的二十年中，半導體技術得以迅速發展，催生出更小規格、更高封裝密度、更高速電路、更低功耗的產品。本文將討論天線效應以及減少天線效應的解決 ...,隨著技術的發展，晶片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規模積體電路(VLSI)中常見的多種效應變得原來越重要且難以控制，天線效應便是其中之一。在過去的二十年中，半導體技術 .... 游離電荷，因而避免了天線效應。 (參考原文：Mitigating antenna effect in integrated circuit design ，by Gagan Kansal, Ajay Sharma).
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 天線效應antenna effect 相關參考資料
Antenna effect-天线效应_百度文库
Antenna effect-天线效应- 版图设计中的天线效应！ 最近做版图设计中，经常要考虑到天线效应，常用插入二极管的方法来消除天线效应，下面给出天线效应的解释： 打个简单的比方，在宏观... https://wenku.baidu.com vol.159 - 國研院晶片中心
造成其他影響電路特性的效應產生，目前也會將這些可以避免的效應定義在design rules 中，. 以提高晶片良率。 (一) 天線效應(antenna effect). 天線效應是電漿製程(乾蝕刻)中常見到的負面效應，有可能會明顯的降低晶片良率。簡. 而言之，是由於電漿製程中出現大量電荷，不正常累積於電晶體閘極(Gate)上的金屬層，導. 致閘極介電層 ... http://www.cic.org.tw 不重要的事件簿: Antenna Effect
在半導體製造過程當中，電漿蝕刻(Plasma Etching)時，若金屬層(導體層Metal/Polysilicon)累積了過多的電荷，將會導致了不正常路徑隨機放電，而永久損害了元件（MOS），也因為金屬層的行為就如同天線收集了電荷，因而稱為Antenna Effect。累積的電荷隨暴露的面積增加而越大。這種不良的效應會導致產品在製造 ... http://ibclu.blogspot.com 國立交通大學機構典藏：天線效應於0.13微米快閃記憶體所造成的損害及 ...
標題: 天線效應於0.13微米快閃記憶體所造成的損害及如何避免和良率提升之研究. Study the Damage of Antenna Effect in 0.13μm Flash and Yield Enhancement about Reducing Antenna Effect. 作者: 廖學鉦 · 張國明 · Dr. Kow-Ming Chang &middo... https://ir.nctu.edu.tw 天線效應- Layout設計討論區- Chip123 科技應用創新平台- Powered by ...
會有啊，天線效應是指芯片在製作的過程中，導線上積累了大量無處釋放的電荷，積累到一定程度會將gate擊穿，然後泄放，這樣mos會被損壞。所以天線 ... 这样做的原理简单是：在process的過程中，每一個連接工藝步驟后都會進行一次靜電荷的釋放，所以在metal上的靜電荷會被放掉，就杜絕了antenna effect的發生； http://www.chip123.com 天線效應於0.13微米快閃記憶體所造成的損害及如何避免和良率提升之 ...
本論文永久網址: 複製永久網址. 研究生: 廖學鉦. 論文名稱: 天線效應於0.13微米快閃記憶體所造成的損害及如何避免和良率提升之研究. 論文名稱(外文):, Study the Damage of Antenna Effect in 0.13μm Flash and Yield Enhancement about Reducing Antenna Effect. 指導教授: 張國明. 指導教授... https://ndltd.ncl.edu.tw 天线效应_百度百科
如果积累了电荷的导体直接连接到器件的栅极上，就会在多晶硅栅下的薄氧化层形成F-N 隧穿电流泄放电荷，当积累的电荷超过一定数量时，这种F-N 电流会损伤栅氧化层，从而使器件甚至整个芯片的可靠性和寿命严重的降低。在F-N 泄放电流作用下，面积比较大的栅得到的损伤较小。因此，天线效应（Process Antenna Effect，PAE）， ... https://baike.baidu.com 天线效应的原理及消除【转帖】 - 猪头的奋斗- 中国电子顶级开发网 ...
因此，天线效应（Process Antenna Effect，PAE），又称之为“等离子导致栅氧损伤（plasma induced gate oxide damage，PID）”。 天线效应的消除方法1） 跳线法。又分为“向上跳线”和“向下跳线”两种方式，如图2（b）所示。跳线即断开存在天线效应的金属层，通过通孔连接到其它层（向上跳线法接到天线层的上一层，向下 ... http://www.eetop.cn 如何在集成電路中減少天線效應- 壹讀
隨著技術的發展，集成電路密度不斷增加，而柵氧化層寬度不斷減少，超大規模集成電路中常見的多種效應變得原來越重要並難以控制。天線效應便是其中之一。在過去的二十年中，半導體技術得以迅速發展，催生出更小規格、更高封裝密度、更高速電路、更低功耗的產品。本文將討論天線效應以及減少天線效應的解決 ... https://read01.com 為IC設計減少天線效應-《電子工程專輯》數位版2014年2月號
隨著技術的發展，晶片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規模積體電路(VLSI)中常見的多種效應變得原來越重要且難以控制，天線效應便是其中之一。在過去的二十年中，半導體技術 .... 游離電荷，因而避免了天線效應。 (參考原文：Mitigating antenna effect in integrated circuit design ，by Gagan Kansal, Ajay Shar... https://www.eettaiwan.com |