天線效應原理
等离子刻蚀产生的带电粒子和暴露出的大面积导体是造成天线效应的罪魁 ... 等离子刻蚀,是干法刻蚀中最常见的一种形式,其原理是暴露在电子区域 ...,方法一:在发生antenna effect的gate连线上进行“跳线”,所谓“跳线”就是将底层metal线换成高层的metal线。这样做的原理简单是:在process的過程中, ... ,因此,天線效應(Process Antenna Effect,PAE),又稱之為"等離子導致柵氧 ... 在版圖設計中,向上跳線法用的較多,此法的原理是:考慮當前金屬層對柵極的天線效應 ... , IC芯片中金屬線或者多晶硅(polysilicon)等導體,就象是一根根天線,當有游離的電荷時,這些“天線”便會將它們收集起來,天線越長,收集的電荷也就 ...,在版圖設計中,向上跳線法用的較多,此法的原理是:考慮當前金屬層對柵極的天線效應時,上一層金屬還不存在,通過跳線,減小存在天線效應的導體面積來消除天線 ... ,关于天线原理产生的微观机制,已经有很了很成熟的研究。 计算天线效应的算法通常都是用与栅相连的金属线或多晶硅的面积与MOS管栅面积的比值来计算的。 ,关于天线原理产生的微观机制,已经有很了很成熟的研究。 计算天线效应的算法通常都是用与栅相连的金属线或多晶硅的面积与MOS管栅面积的比值来计算的。 ,
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IC laout中的天线效应- 知乎
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在版圖設計中,向上跳線法用的較多,此法的原理是:考慮當前金屬層對柵極的天線效應時,上一層金屬還不存在,通過跳線,減小存在天線效應的導體面積來消除天線 ... https://www.itsfun.com.tw 天线效应_百度百科
关于天线原理产生的微观机制,已经有很了很成熟的研究。 计算天线效应的算法通常都是用与栅相连的金属线或多晶硅的面积与MOS管栅面积的比值来计算的。 https://baike.baidu.com 浅谈天线效应 - 吾爱IC社区
关于天线原理产生的微观机制,已经有很了很成熟的研究。 计算天线效应的算法通常都是用与栅相连的金属线或多晶硅的面积与MOS管栅面积的比值来计算的。 http://www.52-ic.com 為IC設計減少天線效應 - 電子工程專輯.
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