單光子崩潰二極體
keyword: 單光子探測 雪崩光電二極體 雪崩二極體APD Gerger Mode 蓋格模式 1 ... 也就是稍微大於崩潰電壓的區域，在這個區域只要入射很微弱的光功率就可以得到 ... ,在此論文中，我們量測了數種不同SPAD元件(TSMC 0.25μm高壓製程與0.18μm製程)的二次崩潰與時基誤差特性。這兩種特性可以分別顯示元件暗計數與光計數在 ... ,雪崩光電二極體(APD)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二極體)是一種半導體光檢測 ... 這種高增益的工作方式稱為Geiger方式，它特別適用於對單個光子的檢測，只要暗 ... , 在此論文中我們運用了台積電的0.18微米標準製程所製作的單光子累增崩潰二極體(Single Photon Avalanche Diodes, SPADs)元件，搭配被動 ..., 本論文藉由台積電0.18 μm高壓製程，製做單光子崩潰二極體(SPAD)，並設計 ... 在元件間距的微縮下，串音的現象不能再被忽略，因此我們藉由此二 ...,在此論文中，我們使用台積電0.25-μm高壓標準CMOS製程製作的單光子崩潰二極體進行量測，詳細探討其光子偵測效率與jitter等光子偵測特性。在此工作中，和舊有的 ... ,在此論文中，我們使用台積電0.25-μm高壓標準CMOS製程製作的單光子崩潰二極體進行量測，詳細探討其光子偵測效率與jitter等光子偵測特性。在此工作中，和舊有的 ... ,在本論文中，我們對TSMC 0.25 m高壓製程單光子累增崩潰二極體的二次崩潰現象進行研究。我們提出了一個新的方法評估二次崩潰效應。傳統的二次崩潰量測需要 ... ,電子工程學系電子研究所. 碩士論文. 垂直式與側向式單光子崩潰二極體特性. Characteristic of Single-Photon Avalanche Diode with. Vertical and Lateral Structures. ,在此論文中，我們使用台積電0.25-μm高壓標準CMOS製程製作的單光子崩潰二極體進行量測，詳細探討其光子偵測效率與jitter等光子偵測特性。在此工作中，和舊有的 ...
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