半導體屏蔽效應
,This video screencast was created with Doceri on an iPad. Doceri is free in the iTunes app store. Learn more at ... ,這是由於體相半導體激子束縛能很小,對於經表面化學修飾的奈米半導體粒子,其屏蔽效應減弱,電子一空穴庫侖作用增強,使激子結合能和振子強度增大,介電效應的增加 ... ,鐵電體的電光效應、非線性光學效應,在鐵電半導體中得到進一步發展。由於鐵電半導體中自由載流子的濃度很高,因而産生了屏蔽效應,它對自發極化、電疇開關和晶格 ... , 其中一個原因是量子效應的作祟：在關閉狀態中，若電晶體兩端之間屏蔽的尺寸越來越窄，電子有越大的機會因為穿隧效應越過屏蔽。因此，本應關閉 ...,論文名稱: 微小化半導體封裝之電磁屏蔽研究 ... 接著在金屬披覆層設計過程中,我們依據傳輸線理論及平面波屏蔽效應理論來分析並驗證此金屬披覆層於封裝結構帶來 ... ,可以從兩種角度來看屏蔽效應,第一種是多電子原子的遮罩作用,第二種是金屬球的靜電屏蔽兩種角度基本上都是因為電荷存在造成屏蔽效應 多電子原子的遮罩是因為 ... ,未摻雜的半導體即為intrinsic semiconductor，摻雜過的半導體即為extrinsic ... 的正電或負電荷來吸引，而且由於中間有大量的半導體原子，產生強大的遮蔽效應，導致 ... ,由於江崎玲於奈與賈埃弗分別“发现半导体和超导体的隧道效应”，约瑟夫森“理论上预测出通过隧道势垒的超电流的性质，特别是那些通常被称为约瑟夫森效应的现象”， ... ,靜電屏蔽現象是指對於一個接地的空腔導體，外接電場不會影響腔內的物體，腔內帶電 ... 其中光電導效應是當入射光子射入到半導體表面時，半導體吸收入射光子產生 ...
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 半導體屏蔽效應 相關參考資料
電場遮蔽- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
https://zh.wikipedia.org 靜電學-屏蔽效應-1 - YouTube
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這是由於體相半導體激子束縛能很小,對於經表面化學修飾的奈米半導體粒子,其屏蔽效應減弱,電子一空穴庫侖作用增強,使激子結合能和振子強度增大,介電效應的增加 ... https://books.google.com.tw 固體物理學大辭典 - 第 901 頁 - Google 圖書結果
鐵電體的電光效應、非線性光學效應,在鐵電半導體中得到進一步發展。由於鐵電半導體中自由載流子的濃度很高,因而産生了屏蔽效應,它對自發極化、電疇開關和晶格 ... https://books.google.com.tw 矽製程相容的二維半導體| CASE報科學
其中一個原因是量子效應的作祟：在關閉狀態中，若電晶體兩端之間屏蔽的尺寸越來越窄，電子有越大的機會因為穿隧效應越過屏蔽。因此，本應關閉 ... https://case.ntu.edu.tw 博碩士論文行動網
論文名稱: 微小化半導體封裝之電磁屏蔽研究 ... 接著在金屬披覆層設計過程中,我們依據傳輸線理論及平面波屏蔽效應理論來分析並驗證此金屬披覆層於封裝結構帶來 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 屏蔽效應 - Google Sites
可以從兩種角度來看屏蔽效應,第一種是多電子原子的遮罩作用,第二種是金屬球的靜電屏蔽兩種角度基本上都是因為電荷存在造成屏蔽效應 多電子原子的遮罩是因為 ... https://sites.google.com Microelectronics HW2 @ Amiba Gelos' Worldline :: 隨意窩 ...
未摻雜的半導體即為intrinsic semiconductor，摻雜過的半導體即為extrinsic ... 的正電或負電荷來吸引，而且由於中間有大量的半導體原子，產生強大的遮蔽效應，導致 ... https://blog.xuite.net 量子穿隧效應- 维基百科，自由的百科全书
由於江崎玲於奈與賈埃弗分別“发现半导体和超导体的隧道效应”，约瑟夫森“理论上预测出通过隧道势垒的超电流的性质，特别是那些通常被称为约瑟夫森效应的现象”， ... https://zh.wikipedia.org 電現象- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
靜電屏蔽現象是指對於一個接地的空腔導體，外接電場不會影響腔內的物體，腔內帶電 ... 其中光電導效應是當入射光子射入到半導體表面時，半導體吸收入射光子產生 ... https://zh.wikipedia.org |